Силовые конденсаторы шины питания мощных преобразователей частоты

Совершенствование полупроводниковых ключевых элементов силовых преобразователей частоты (ПЧ) позволяет производить их переключение на все более высоких частотах и рабочих напряжениях, увеличивая таким образом энергетическую эффективность и снижая (при условии паритета передаваемой мощности) массо-габаритные размеры ПЧ. Одновременно повышение тактовой частоты в сочетании с высокой крутизной нано...

Силовые сборки SEMISTACK – серийная продукция SEMIKRON

Более 45 лет французское отделение компании SEMIKRON занимается разработкой и производством узлов мощных преобразователей, содержащих силовые полупроводниковые ключи, силовые конденсаторы, драйверы, шины, датчики. За эти годы выпущено более 15 тыс. подобных изделий, спроектированных на основании технических заданий. Создание международной проектной сети SEMIKRON позволило компании укрепить пози...

Силовые конденсаторы EPCOS AG для IGBT-инверторов мощных преобразователей напряжения

Любой силовой конденсатор — элемент электрической цепи, предназначенный для использования его емкости, обладает набором потребительских свойств, определяемых совокупностью параметров эквивалентной схемы. Хотя история существования данного устройства и насчитывает более двух с половиной столетий, изготовить универсальный вариант силового конденсатора пока не удалось. Однако в силовом конденсатор...

Ультраконденсаторы бросают вызов батареям

Традиционно отличаясь быстродействием и мощностью, а также ограниченным запасом энергии, ультраконденсаторы преображаются в быстрые, мощные и энергоемкие устройства, которые, скорее всего, найдут применение главным образом в гибридных автомобилях с гибридным приводом и резервных источниках питания.

Реализация защиты преобразователя частоты на основе динамической тепловой модели IGBT силового модуля

В статье представлена методика расчета температуры кристаллов IGBT силового модуля, работающего в составе преобразователя частоты. Методика основана на информации о мгновенных значениях выходных токов, входного напряжения и вектора управляющих воздействий инвертора. Рассмотрена тепловая модель IGBT силового модуля, позволяющая в реальном времени вычислять мгновенные значения температуры кристал...

Расчет выходного фильтра ШИМ-инвертора на заданный коэффициент гармоник напряжения на нагрузке

В статье описана методика расчета параметров выходного фильтра на заданный коэффициент гармоник напряжения на нагрузке. Приведен пример расчета Г-образного LC-фильтра мостового инвертора, реализующего равномерную многократную однополярную широтно-импульсную модуляцию (ШИМ) по синусоидальной функции построения, с применением необходимых формул и иллюстрацией характерных графиков и диаграмм.

Рассмотрение лавинных процессов в полевых транзисторах серии CoolMOS™ при их использовании в импульсных источниках питания. Часть 2

Перевод: Наджим Хамзин Владимир Веревкин Устойчивость полевого транзистора CoolMOS™ к лавинному процессу Как и обычные MOSFET, полевые транзисторы CoolMOS™ устойчивы к лавинному процессу. Но по некоторым характеристикам они отличаются от обычных полевых транзисторов MOSFET благодаря необычной структуре дрейфовой области, которая обеспечивает пятикратное уменьшение сопротивления кристалла в открытом состоянии для транзисторов на 600 В. На рис. 12 показано типичное напряжение лавинного пробоя в зависимости от температуры и плотности тока для CoolMOS™ полевого транзисторов на 600 В. ...

Рассмотрение лавинных процессов в полевых транзисторах серии CoolMOS™ при их использовании в импульсных источниках питания. Часть 1

В статье описаны стандартные методы экспериментального исследования лавинного процесса и проблемы, связанные с ним, в импульсных источниках питания, а также характеристики безопасного режима при лавинных процессах в CoolMOS™ полевых транзисторах. Показано, что хотя транзисторы серии CoolMOS™ и не велики по размеру кристалла по сравнению с обычными полевми транзисторами MOSFET, но все же обесп...

Причины отказов силовых тиристоров в режимах включения с высокими значениями скорости нарастания тока в открытом состоянии

Надежность силовых тиристоров, использующихся в режимах включения с повышенными значениями скорости нарастания тока в открытом состоянии diT/dt, во многом определяется электрическими и термическими процессами, происходящими в области первоначального включения (ОПВ). Статистика показывает, что около 50% всех отказов силовых тиристоров в электрических преобразователях напряжения вызваны термическ...

Применение субмикронной технологии — путь к созданию высокоэффективных силовых диодов Шоттки

В преобразователях напряжения важная роль отводится силовым диодам Шоттки. Но если силовые транзисторы и микросхемы постоянно находятся в поле зрения разработчиков полупроводниковых приборов, то технологическому и конструктивному развитию силовых диодов не уделяется должного внимания. Ведущие фирмы не занимаются созданием новых версий силовых диодов, считая эти приборы коммерчески невыгодными. ...