Защитные антирезонансные дроссели низковольтных конденсаторных батарей

Структуру современного электропотребления во многом определяет интенсивное внедрение силового электротехнологического оборудования на базе дискретно коммутируемых ключевых вентильных элементов (различного вида преобразователи, классифицируемые в электротехнике термином «нелинейные электроприемники»). Как известно [1], при превышении нелинейными электроприемниками 15…20% части суммарной мощност...

Новая концепция корпуса силовых модулей IGBT компании Mitsubishi Electric

Силовые модули IGBT используются при создании преобразователей широкого диапазона мощностей от 1 кВт до более чем 1 МВт. Для такого широкого диапазона требуются модули c широким диапазоном токов и напряжений. Поэтому и корпус силового модуля IGBT должен быть разработан с учетом различных требований по габаритам, условиям работы и цене.

Новая интегральная микросхема драйвера 2ED020I12-F для IGBT / MOSFET силовых транзисторов на основе технологии встроенного трансформатора без сердечника (CLT – Coreless Transformer)

Приведены примеры построения внешней схемотехники для ИМС-драйвера 2ED020I12-F для IGBT / MOSFET силовых транзисторов на основе технологии встроенного силового трансформатора без сердечника и описание работы его функций по защите.

Выбор наилучшей топологии для электронных устройств со сверхяркими светодиодами

Многие считают, что дни обыкновенной лампочки накаливания сочтены. За последний век этот вид источника света выдержал испытание временем и стал стандартом для большинства применений. Но новые технологии, основанные на светоизлучающих диодах (LED), настолько хороши, что специалисты прогнозируют скорую замену как ламп накаливания, так и люминесцентных ламп.

Подавление эффекта Миллера в схемах управления MOSFET / IGBT

Одной из основных проблем, с которой часто приходится сталкиваться разработчикам преобразователей частоты, является возникновение сквозного тока в полумостовых каскадах, вызванное ложным отпиранием силового транзистора из-за наличия емкости Миллера в структуре IGBT. В предлагаемой статье анализируются технические и экономические аспекты четырех различных способов подавления эффекта паразитного ...

Trench 4 – первая универсальная технология IGBT

Особенностью непрерывно растущего рынка частотных преобразователей является широкая номенклатура типов и версий, имеющих различные конструктивы, электрические параметры, сервисные функции. В первую очередь технический уровень подобных устройств зависит от свойств используемых силовых ключей. Электрические и тепловые характеристики силовых модулей IGBT во многом определяют класс и область примен...

Полупроводниковые компоненты и твердотельные ключи компании ABB для импульсной техники

В статье рассматриваются полупроводниковые компоненты и твердотельные ключи, применяемые для работы с импульсными системами. Эти ключи спроектированы для использования в областях, связанных с модуляцией энергии.

Новый однокристальный инвертор в корпусе SMD компании Mitsubishi Electric

Технология литьевого прессования широко используется при производстве корпусов надежных силовых модулей для различных мощностей от сотен ватт до более чем 4 кВт. Она прекрасно подходит для большого числа модулей IGBT и IPM. Ее преимуществом, по сравнению с конкурирующими, является возможность двойного использования медной рамы — как проводника и как прекрасного охладителя. Кроме того, данная те...

CiPoS™ — новое семейство силовых драйверов с интегрированным инвертором на 600 В/8 — 22 A

В статье рассматриваются характеристики модулей CiPoS™, особенности их построения и применения.

SEMISTART: модули для устройств плавного пуска

Общей тенденцией современного рынка силовой электроники является уменьшение габаритов преобразовательных устройств при одновременном повышении их мощности. Зачастую для этого приходится кардинально изменять архитектуру силового модуля, чтобы повысить перегрузочную способность или обеспечить более эффективный отвод тепла. В устройствах плавного пуска (софт-стартерах) полупроводниковые кристаллы ...