Компоненты силовой электроники

  Компания International Rectifier начала поставки семейства герметичных радиационно-стойких (RAD-Hard) транзисторов MOSFET с напряжением открытого транзистора 100 В в новом компактном корпусе SMD0.2 для поверхностного монтажа. Транзисторы предназначены для применения в аппаратуре космических аппаратов, такой как силовые системы промежуточной шины и полезная нагрузка источников питания. В новом, защищенном патентом, герметичном и компактном корпусе SMD0.2 для повышения теплопроводности применяется керамика из AlN (нитрид алюминия). Корпус разработан специально для радиационно-стойких ...

  Компания SEMIKRON провела очередное улучшение характеристик антипараллельных диодов серии CAL 4, направленное на усиление защиты от воздействия окружающей среды. Зачастую изделия силовой электроники вводятся в эксплуатацию в регионах с повышенной влажностью, не имея надлежащей защиты от климатических воздействий. Особенно ярко эта тенденция наблюдается в Азии. Деятельность SEMIKRON направлена на разработку надежных продуктов, предназначенных для работы в крайне жестких климатических условиях. Для повышения влагозащиты диодных кристаллов был модифицирован дизайн краевых областей ...

В данной статье рассматриваются возможности симулятора LTspice, позволяющего моделировать нелинейную индуктивность двумя способами.

В статье рассматриваются вопросы повышения эффективности электротехнических устройств как аспекта стратегии энергосбережения. Рассматриваются разработки и вопросы внедрения устройств полупроводниковых преобразователей с применением схем активной коррекции коэффициента мощности.

Продолжение. Начало в № 5’2009. Рассмотрены применяемые в настоящее время полупроводниковые силовые компоненты: полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Особое внимание уделено интегрированным силовым модулям (IPM). Сделан обзор компонентов и отечественного, и зарубежного производства.

В статье сделан обзор новых отечественных высоковольтных p-i-n GaAs-диодов. Поднимаются вопросы введения инноваций в энергетике в России, снижения потерь электроэнергии.

В настоящей работе приведены результаты расчетов и исследований мощных ключевых транзисторных сборок, составляющих основу силовых модулей, выполненных с использованием СИТ с модулируемой проводимостью канала. Произведен расчет теплового сопротивления и допустимой максимальной рассеиваемой мощности проектируемых приборов. Сравниваются расчетные и экспериментальные данные.

В статье описаны особенности использования встроенного в силовой модуль терморезистора с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (NTC-резистора) для измерения температуры; рассмотрены аспекты изоляции измерительной цепи от высокого напряжения, связь сопротивления NTC с температурой перехода кристаллов IGBT; приведены примеры практической реализации схемы измерений.

За последние годы среди разработчиков устройств силовой электроники стали очень популярными силовые сборки — интегрированные системные решения от производителей силовых полупроводниковых приборов (далее — п/п приборы) на основе собственной силовой элементной базы. В данной статье рассказывается о семействе силовых сборок PrimeSTACK.

В предыдущей статье были рассмотрены номенклатура и основные параметры интегральных силовых модулей серий Ver. 3, Ver. 3,5, Ver. 4, 1200 В фирмы Mitsubishi Electric. Номенклатура модулей в каталогах фирмы 2010 г. не претерпела существенных изменений. Предметом рассмотрения настоящей статьи являются особенности применения интегральных модулей третьей серии, руководство по применению которых было...