Повышающий DC/DC-конвертер в режиме чередования фаз на основе нового поколения карбидокремниевых MOSFET

Появление фотоэлектрических (PV) инверторов и электрических транспортных средств (EV) требует повышения плотности мощности и эффективности преобразователей. Карбид кремния (SiC) является одним из кандидатов, способных удовлетворить эту потребность, поэтому интерес к SiC-технологии в последнее десятилетие непрерывно растет. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства PV-и...

Преимущества нового поколения SiC MOSFET в системах высокой мощности

Появление фотооптических инверторов (PV) и электромобилей (EV) обусловило растущие требования по повышению плотности мощности и эффективности силовых преобразователей. Карбид кремния (SiC) является основным кандидатом для решения этой задачи, поэтому он остается объектом растущего интереса в течение последнего десятилетия. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства прео...

Усовершенствованная оптимальная процедура проектирования высоковольтной кабельной арматуры. Часть 2

Кабельная арматура всегда монтируется на кабеле с определенным обжимающим усилием, чтобы обеспечить необходимое давление на границе соединения кабеля с арматурой (кабельной муфтой). Таким образом, после монтажа кабельная муфта продолжает находиться в напряженном (расширенном) состоянии. Но эта ситуация приводит не только к уменьшению толщины изоляции и укорочению длины муфты, но и к возможному ...

Усовершенствованная оптимальная процедура проектирования высоковольтной кабельной арматуры. Часть 1

Кабельная арматура всегда монтируется на кабеле с определенным обжимающим усилием, чтобы обеспечить необходимое давление на границе соединения кабеля с арматурой (кабельной муфтой). Таким образом, после монтажа кабельная муфта продолжает находиться в напряженном (расширенном) состоянии. Но эта ситуация приводит не только к уменьшению толщины изоляции и укорочению длины муфты, но и к возможному ...

Новое поколение SiC MOSFET в DC/DC-преобразователе с жестким режимом переключения

По сравнению с SiC JFET или SiC биполярными транзисторами, N-канальные SiC MOSFET являются наилучшей заменой для обычных кремниевых MOSFET или IGBT благодаря более простой структуре, легкости управления и низким потерям мощности. В марте 2013г. компания Cree начала коммерческий выпуск второго поколения SiC MOSFET, обладающего повышенной производительностью и меньшей стоимостью по сравнению с кл...