GenX3 IGBT компании IXYS

Новые XPT IGBT компании IXYS применяются именно в тех областях, где помимо хороших статических и динамических характеристик необходима и высокая надежность самих коммутирующих элементов. Вот почему именно четкое понимание механизмов, приводящих к выходу из строя IGBT-транзисторов в различных режимах эксплуатации, послужило основой для создания технологии XPT IGBT.

Основы теории и особенности применения линейных MOSFET

Данный материал нельзя назвать новым, поскольку он был опубликован на английском языке в начале 2000-х годов, но является актуальным и сегодня, поскольку объясняет фундаментальные особенности работы силовых MOSFET в линейном режиме.

Дискретные 600-В XPT IGBT семейства GenX3

Статья рассказывает о новом семействе GenX3 высоко эффективных и простых в управлении дискретных 600-В XPT IGBT (eXtremely rugged eXtremaly light Punch Through), разработанных компанией IXYS. Эти устройстыва были созданы с учетом понимания основных «узких мест» современных транзисторов, способных привести к преждевременному их выходу из строя и рассчитаны на применение в схемах, требующих высок...

Применение новой серии P-канальных MOSFET транзисторов компании IXYS

Семейство p-канальных MOSFET-транзисторов компании IXYS обладает всеми основными преимуществами сопоставимых n-канальных MOSFET, такими как очень быстрое переключение, управление с помощью уровня напряжения затвора, простота параллельного соединения и высокая температурная стабильность.

Сравнение новейших HiPerFET MOSFETs с семейством Super Junction MOSFETs

С выпуском третьего семейства P3 HiPerFET силовых MOSFET компания IXYS установила новую планку параметров этих устройств для средних и высоких частот. Применение новых транзисторов позволит создавать продукты, которые с высокой надежностью и эффективностью способны решить самые современные задачи преобразования высокого напряжения.