Высокоэффективный, компактный резонансный ZVS мостовой конвертер на основе 1200 В SiC-MOSFET

№ 6’2016
PDF версия
В статье рассматриваются преимущества использования SiC MOSFET компании Cree в целях повышения производительности резонансных DC/DC-преобразователей.

Полный текст статьи доступен только для зарегистрированных пользователей: |

Литература
  1. J. R. Pinheiro and I. Barbi. The three-level ZVS PWM converter — A concept in high-voltage DC-to-DC conversion. // Proc. IEEE IECON. 1992.
  2. Jong-Pil Lee etc. Input-Series-Output-Parallel Connected DC/DC Converter for a Photovoltaic PIECES with High-Efficiency under a Wide Load Range // Journal of Power Electronics. 2010. Vol. 10, № 1.
  3. C2M0160120D Datasheet. Cree Inc.
  4. Jimmy Liu etc. Increase Efficiency and Lower System Cost with 100 kHz, 10kW Silicon Carbide (SiC) Interleaved Boost Circuit Design // PCIM Europe. 2013.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *