О «феноменальном» поведении диодов

Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач производителей компонентов силовой электроники. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока между IGBT и оппозитным диодом сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относится прямое и обратное восстановле...

Быстродействующие предохранители Bussmann

В силовой цепи в случае короткого замыкания сверхтоки могут достигать десятков и даже сотен тысяч ампер в то время как полупроводниковые приборы могут выдерживать импульсы токов только в несколько тысяч ампер. Обычные предохранители, соответствующие стандарту IEC 60 269-2, способны защитить только промышленное оборудование, не содержащее полупроводниковых устройств.Статья расск...

Продвинутые источники сварочного тока

За долгие годы существования технологии электрической сварки металлов источники питания сварочной дуги также прошли длительный эволюционный путь, начиная от гальванической батареи и заканчивая современными инверторными сварочными аппаратами. Появление мощных ионных, а затем и полупроводниковых ключей позволило резко улучшить эксплуатационные характеристики ИСТ, а также снизить их массо-габаритн...

3-L NPC-инвертор: управление, режимы работы, расчет параметров

Основным преимуществом 3-уровневой схемы с фиксированной нейтралью (3L NPC) является низкий коэффициент гармоник выходного тока, что позволяет существенно упростить выходной фильтр или вообще отказаться от него. Транзисторы и диоды 3-L преобразователя работают при половинном напряжении DC-шины, поэтому он может быть построен на ключах меньшего класса напряжения (например, 600 В в...

Advanced Trench HiGT IGBT с разделенным p-слоем для улучшения управляемости и устойчивости к нежелательным, но возможным воздействиям

В статье рассматривается структура чипа Advanced Trench HiGT (IGBT с высокой проводимостью), представлены характеристики новых Advanced Trench HiGT - модулей с рабочим напряжением 1700 В. Особенностью новой структуры является глубокий, выполненный отдельно от затвора плавающий р-слой, который, благодаря такому исполнению, оказывает значительно меньшее влияние на пазы затво...

Второе поколение SiC MOSFET с повышенной эффективностью и сниженной стоимостью

С тех пор как в январе 2011 года компания Cree анонсировала свои первые транзисторы на основе карбида кремния, технология (SiC) MOSFET стала действенным инструментом повышения эффективности преобразователей до уровня, недостижимого с применением прежних кремниевых приборов. В статье подробно рассмотрены приборы второго поколения, приведены их сравнительные характеристики.

Унификация — это основной путь создания высоконадежных систем вторичного электропитания для комплексов военного и коммерческого назначения. Часть 2

Продолжение. Начало в СЭ № 5/2014 Приведены основные методы и примеры создания аппаратуры и систем вторичного электропитания (СВЭП) на основе синтеза блоков питания из унифицированных узлов и модулей, разработанных и оптимизированных на основе передовых технологий с использованием компонентов отечественной электронной базы. Проанализированы отдельные типы и практические при...

Аналитическое и модельное исследование модульной синхронной реактивно-индукторной машины

Предметом исследования в настоящей статье является модульная электрическая машина, над разработкой которой уже много лет трудится коллектив молодых энтузиастов под руководством автора. В результате этих работ создана теоретическая база для исследования этих машин, разработана и испытана в статике одна из конструкций. В настоящее время создается и настраивается система управления созданной конст...

Опыт разработки и внедрения динамического тиристорного компенсатора реактивной мощности на сталеплавильных печах

В статье описаны результаты разработки высокодинамичного компенсатора реактивной мощности с применением фильтрокомпенсирующих цепей и отечественных тиристорных блоков. Показано, что выбранная структура, технические решения и алгоритмы позволили добиться сокращения времени плавки и значительного экономического эффекта.

Силовые SiC-приборы в транспортных применениях

Впервые SiC-компоненты были применены в источниках питания телекоммуникационного оборудования, светодиодах и преобразователях для индукционного нагрева. Спустя некоторое время карбидокремниевые ключи проникли в инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания (UPS), приводы и в авиационную технику. Совсем недавно силовые SiC-приборы нашли свое применение в производстве автомобилей ...