Новые двухпозиционные тиристорные модули на ток 700 А со сниженными статическими и тепловыми потерями
Введение
В настоящее время модернизация конструкции дискретных полупроводниковых приборов для повышения ресурса их работы, снижения электрических и тепловых потерь, а также увеличения рабочих мощностей остается одним из актуальных вопросов для низкочастотных силовых полупроводниковых тиристоров и диодов [3–4]. Это обусловлено в первую очередь постоянным ростом производства, передачи, преобразования и потребления энергии, а также необходимостью систематического улучшения параметров и технико-экономических показателей преобразовательной техники [1]. Однако применение типовых (для современных IGBT-модулей) подходов к повышению мощности силовых тиристоров и диодов не всегда целесообразно, так как данные подходы предполагают достаточно долгую и дорогостоящую модернизацию, включающую применение более дешевых и прогрессивных композитных материалов, сокращение количества элементов конструкции, а также изменение отдельных элементов конструкции для сокращения себестоимости массового производства. С учетом данных подходов срок вывода модернизированного продукта на рынок вырастает до 2–3 лет (которых зачастую нет у клиента), а затраты на разработку продукта увеличиваются до уровня 300 000–400 000 EUR, что негативно отражается на экономическом эффекте от внедряемых усовершенствований. К тому же возникают дополнительные риски, например в части длительных полевых испытаний у потребителя или сложностей при проведении сертификации продукции [2]. В связи с этим подход по оптимизации параметров и характеристик силовых полупроводниковых элементов с минимальным уровнем переработки прочих элементов конструкции в настоящий момент остается все еще актуальным, причем использование современных средств моделирования позволяет уменьшить итерационность модернизации, сократить затраты на разработку и время вывода модернизированного продукта на рынок менее чем до года.
Снижение статических и тепловых параметров в двухпозиционном модуле с шириной основания 60 мм
По запросу от потребителя была проведена модернизация двухпозиционного силового тиристорного модуля типа А2 с шириной основания 60 мм, рассчитанного на напряжение 1800 В и средний ток 540 А (внешний вид модуля изображен на рис. 1).
Текущая продуктовая линейка модулей типа А2 представлена на рис. 2.
В данном варианте конструкции электрический и тепловой контакт полупроводниковых элементов обеспечивается за счет прижимной конструкции, что обуславливает повышенную циклостойкость и стойкость к ударным токам.
В процессе моделирования основных электрических параметров и характеристик были определены следующие решения, позволяющие достичь требуемых тепловых и электрических потерь модуля:
- увеличение диаметра полупроводникового элемента и оптимизация топологии для расширения активной площади катода на 10%;
- снижение удельного электрического сопротивления исходной кремниевой пластины;
- уменьшение толщины диффузионного элемента и оптимизация диффузионного профиля (на рис. 3 приведены данные по расчетным и экспериментальным значениям).
В результате изготовления опытной партии и проведения квалификационных испытаний были подтверждены основные результаты моделирования:
- Статические потери — снижение порогового напряжения (VT(TO)) на 5%, динамического сопротивления (rT) на 10%. На рис. 4 приведены данные по расчетным и экспериментальным значениям статических потерь в открытом состоянии стандартного МТ*-540-18-А2 и оптимизированного МТ*-700-18-А2 тиристорного модуля в сравнении с измеренными значениями по аналогам от других производителей.
- Тепловые потери — снижение теплового сопротивления переход-корпус (Rthjc) на 10%. На рис. 5 приведены экспериментальные значения теплового сопротивления стандартного МТ*-540-18-А2 и оптимизированного МТ*-700-18-А2 тиристорного модуля в сравнении с измеренными значениями по аналогам от других производителей.
- Ударный ток в открытом состоянии — увеличен на 20% при максимальной температуре p-n-перехода Tjmax = +130 °C. На рис. 6 приведены экспериментальные значения ударного тока в открытом состоянии для стандартного МТ*-540-18-А2 и оптимизированного МТ*-700-18-А2 тиристорного модуля в сравнении с измеренными значениями по аналогам от других производителей.
Таким образом, в ходе модернизации был разработан двухпозиционный модуль МТ*-700-18 с увеличенным средним током в открытом состоянии (ITAV) на ~ 30% до 700 А при температуре корпуса Тс = +80 °С и максимальной температуре p-n-перехода Tjmax = +130 °C. При этом прочие электрические параметры и характеристики модуля не изменились. На рис. 7 представлена текущая линейка двухпозиционных модулей А2 с шириной основания 60 мм производства «Протон-Электротекс» с учетом нового 700-А модуля.
Основные отличия норм параметров стандартного МТ*-540-18-А2 и оптимизированного МТ*-700-18-А2 представлены в таблице.
Обозначение и наименование параметра |
МТ*-540-18-А2 МТ/Д*-540-18-А2 |
МТ*-700-18-А2 МТ/Д*-700-18-А2 |
Условия измерений |
|
ITAV |
Максимально допустимый средний прямой ток в открытом состоянии, А |
540 (ТС = +85 °С) |
700 (ТС = +80 °С) |
180° эл. синус; 50 Гц |
ITRMS |
Действующий ток в открытом состоянии, А |
845 (ТС = +85 °С) |
1099 (ТС = +80 °С) |
|
ITSM |
Ударный ток в открытом состоянии, кА |
15,5 (Tj = Tjmax) 18 (Tj = +25 °C) |
20 (Tj = Tjmax) 23 (Tj = +25 °C) |
180° эл. синус; tp = 10 мс; единичный импульс; UD = UR = 0 В |
UDRM, URRM |
Повторяющееся импульсное обратное напряжение и повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В |
1400–1800 |
Tj min< Tj< Tj max; 180° эл. синус; 50 Гц |
|
IDRM, IRRM |
Повторяющийся импульсный обратный ток и повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (макс.), мА |
70 (Tj = Tjmax) 3(Tj = +25 °C) |
UD = UDRM; UR = URRM |
|
UTM |
Импульсное напряжение в открытом состоянии (макс.), В |
1,5 (ITM = 1570 А) |
1,65 (ITM = 2198 А) |
Tj = +25 °C |
Rthjc |
Тепловое сопротивление p—n—переход-корпус (макс.), °C/Вт |
0,0325 (на модуль) 0,0650 (на позицию) |
0,0255 (на модуль) 0,0510 (на позицию) |
180° эл. синус; 50 Гц |
Tj |
Температура p—n—перехода, °С |
–40…+130 |
Выводы
В данной работе продемонстрированы результаты модернизации силовых двухпозиционных тиристорных и тиристорно-диодных модулей модификаций МТ3, МТ4, МТ5, МТ/Д3, МТ/Д4 и МТ/Д5 с шириной основания 60 мм, рассчитанных на напряжение 1800 В со сниженными тепловыми и электрическими потерями. В результате модернизации был получен модуль с увеличенным до 700 А средним током в открытом состоянии, характеризующийся уменьшенным тепловым сопротивлением p-n-переход-корпус, пороговым напряжением и динамическим сопротивлением, а также увеличенным ударным током без снижения показателей надежности и долговечности продукта.
- Bordignon P. VSC Conversion Technology for HVDC & FACTS, State of the Art and Future Trend. 2019 21st European Conference on Power Electronics and Applications (EPE ’19 ECCE Europe).
- Titushkin D., Surma A., Antonov S. Increasing power density in power modules with baseplate width of 60 mm. Conference PCIM Europe 2020. Nuremberg, Germany, 7–8 July, 2020.
- Grishanin A. V., Martynenko V. A., Khapugin A. A., Varyanova G. M., Baru A. Y. New thyristor mega-module for megawatt-range frequency converters. PCIМ
- Titushkin D., Surma A. New ways to produce fast power thyristors // Bodo’s Power Systems. 2015. Vol. 8.