Показаны результаты модернизации силовых двухпозиционных тиристорных и тиристорно-диодных модулей модификаций МТ3, МТ4, МТ5, МТ/Д3, МТ/Д4 и МТ/Д5 с шириной основания 60 мм, рассчитанных на напряжение 1800 В. 
Предложен метод определения оптимальных характеристик кристаллов кремниевых быстрых IGBT, предназначенных для совместной работы с SiC SBD в гибридных модулях. Найдены оптимальные дозы протонного облучения и определены оптимальные статические и динамические характеристики 1200 В IGBТ для гибридных модулей, комплектующих DC/DC-конвертеры с рабочей частотой преобразования до 50 кГц. 
Управление рекомбинационными свойствами в слоях полупроводниковой структуры является одним из эффективных методов повышения быстродействия и улучшения ряда других важных характеристик силовых полупроводниковых приборов. В статье рассматриваются аспекты применения одной из таких технологий, основанной на облучении кремниевых структур ускоренными протонами. 
Несмотря на значительное развитие преобразовательной техники на базе полностью управляемых полупроводниковых ключей (IGBT, GTO, IGCT), для ряда областей применения, особенно в высокомощной и высоковольтной силовой электронике, по-прежнему технически оправданным и востребованным остается применение «традиционных» мощных тиристоров.
К тиристорам в составе последовательных сборок предъявляется ряд специфических требований, к числу наиболее важных из них относятся требования синхронности функционирования всех тиристоров в сборке при включении и в процессе обратного восстановления. В статье описан комплекс оборудования, применяемый «Протон-Электротекс» для испытаний тиристоров, адаптированных для последовательных сборок. 
В статье обсуждается возможность снижения деградационных и ранних отказов силовых полупроводниковых тиристоров с диаметром полупроводникового кристалла 80 мм и более за счет применения технологии низкотемпературного спекания кремниевых элементов и молибденовых термокомпенсаторов. Исследованы сравнительные зависимости параметров VTO/rT, Rthjc, ITAV, ITSM от усилия сжатия для вариантов синтеринг/... 
В статье обсуждается возможность формирования встроенных элементов самозащиты от перенапряжения высоковольтных полупроводниковых тиристоров за счет локального протонного облучения области основного управляющего электрода, на основании успешного опробования показаны результаты применения данного решения при разработке нового высоковольтного тиристора Т483-1600-60. 
Несмотря на бурное развитие полностью управляемых силовых полупроводниковых ключей (IGBT, IGCT), для целого ряда применений, особенно в высоковольтном энергетическом оборудовании, остается технически оправданным использование мощных высоковольтных тиристоров с повышенной нагрузочной способностью. Компания ЗАО «Протон-Электротекс» провела научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы ... 
В статье рассматривается технология обеспечения малого разброса статических и динамических параметров силовых высоковольтных тиристоров, адаптированных для последовательного и параллельного включения в высоковольтных линиях электропередачи и импульсных преобразователях. Приведены результаты применения нового метода контроля режимов облучения ускоренными электронами, дающего возможность прецизио... 
