Оптимизация частотных свойств кремниевых IGBT, предназначенных для работы с SiC-диодами Шоттки в гибридных модулях
Предложен метод определения оптимальных характеристик кристаллов кремниевых быстрых IGBT, предназначенных для совместной работы с SiC SBD в гибридных модулях. Найдены оптимальные дозы протонного облучения и определены оптимальные статические и динамические характеристики 1200 В IGBТ для гибридных модулей, комплектующих DC/DC-конвертеры с рабочей частотой преобразования до 50 кГц.
Технология протонного облучения и возможности ее применения для улучшения характеристик силовых диодов и тиристоров
Управление рекомбинационными свойствами в слоях полупроводниковой структуры является одним из эффективных методов повышения быстродействия и улучшения ряда других важных характеристик силовых полупроводниковых приборов. В статье рассматриваются аспекты применения одной из таких технологий, основанной на облучении кремниевых структур ускоренными протонами.
Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах
Несмотря на значительное развитие преобразовательной техники на базе полностью управляемых полупроводниковых ключей (IGBT, GTO, IGCT), для ряда областей применения, особенно в высокомощной и высоковольтной силовой электронике, по-прежнему технически оправданным и востребованным остается применение «традиционных» мощных тиристоров.
В статье рассмотрены основные тенденции развития этого типа с...
В статье рассмотрены основные тенденции развития этого типа с...
Повышение качества измерений характеристик обратного восстановления высоковольтных тиристоров для последовательных сборок
К тиристорам в составе последовательных сборок предъявляется ряд специфических требований, к числу наиболее важных из них относятся требования синхронности функционирования всех тиристоров в сборке при включении и в процессе обратного восстановления. В статье описан комплекс оборудования, применяемый «Протон-Электротекс» для испытаний тиристоров, адаптированных для последовательных сборок.
Применение технологии синтеринга для снижения потока отказов при эксплуатации мощных тиристоров
В статье обсуждается возможность снижения деградационных и ранних отказов силовых полупроводниковых тиристоров с диаметром полупроводникового кристалла 80 мм и более за счет применения технологии низкотемпературного спекания кремниевых элементов и молибденовых термокомпенсаторов. Исследованы сравнительные зависимости параметров VTO/rT, Rthjc, ITAV, ITSM от усилия сжатия для вариантов синтеринг/...
Высоковольтные тиристоры с элементами самозащиты при работе в аварийных режимах
В статье обсуждается возможность формирования встроенных элементов самозащиты от перенапряжения высоковольтных полупроводниковых тиристоров за счет локального протонного облучения области основного управляющего электрода, на основании успешного опробования показаны результаты применения данного решения при разработке нового высоковольтного тиристора Т483-1600-60.
Новые мощные тиристоры с повышенной нагрузочной способностью
Несмотря на бурное развитие полностью управляемых силовых полупроводниковых ключей (IGBT, IGCT), для целого ряда применений, особенно в высоковольтном энергетическом оборудовании, остается технически оправданным использование мощных высоковольтных тиристоров с повышенной нагрузочной способностью. Компания ЗАО «Протон-Электротекс» провела научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы ...
Радиационная технология прецизионного управления параметрами высоковольтных тиристоров
В статье рассматривается технология обеспечения малого разброса статических и динамических параметров силовых высоковольтных тиристоров, адаптированных для последовательного и параллельного включения в высоковольтных линиях электропередачи и импульсных преобразователях. Приведены результаты применения нового метода контроля режимов облучения ускоренными электронами, дающего возможность прецизио...
Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах: защита от перенапряжения
Несмотря на возможность «внешней» защиты, применение тиристоров с интегрированными в полупроводниковую структуру элементами защиты от перенапряжения также может быть привлекательно для потребителя, если по своим ценовым характеристикам такой прибор не будет сильно отличаться от обычного тиристора. Эта статья рассказывает о типах, характеристиках и применении таких защитных элементов .