Новые двухпозиционные тиристорные модули на ток 700 А со сниженными статическими и тепловыми потерями

Показаны результаты модернизации силовых двухпозиционных тиристорных и тиристорно-диодных модулей модификаций МТ3, МТ4, МТ5, МТ/Д3, МТ/Д4 и МТ/Д5 с шириной основания 60 мм, рассчитанных на напряжение 1800 В.

Оптимизация частотных свойств кремниевых IGBT, предназначенных для работы с SiC-диодами Шоттки в гибридных модулях

Предложен метод определения оптимальных характеристик кристаллов кремниевых быстрых IGBT, предназначенных для совместной работы с SiC SBD в гибридных модулях. Найдены оптимальные дозы протонного облучения и определены оптимальные статические и динамические характеристики 1200 В IGBТ для гибридных модулей, комплектующих DC/DC-конвертеры с рабочей частотой преобразования до 50 кГц.

Применение технологии синтеринга для снижения потока отказов при эксплуатации мощных тиристоров

В статье обсуждается возможность снижения деградационных и ранних отказов силовых полупроводниковых тиристоров с диаметром полупроводникового кристалла 80 мм и более за счет применения технологии низкотемпературного спекания кремниевых элементов и молибденовых термокомпенсаторов. Исследованы сравнительные зависимости параметров VTO/rT, Rthjc, ITAV, ITSM от усилия сжатия для вариантов синтеринг/...

Высоковольтные тиристоры с элементами самозащиты при работе в аварийных режимах

В статье обсуждается возможность формирования встроенных элементов самозащиты от перенапряжения высоковольтных полупроводниковых тиристоров за счет локального протонного облучения области основного управляющего электрода, на основании успешного опробования показаны результаты применения данного решения при разработке нового высоковольтного тиристора Т483-1600-60.