Серия отечественных кремниевых и карбидокремниевых силовых FRD- и IGBT-модулей специального и общепромышленного назначения
Современная электроника стремительно развивается. Растут мощности оборудования, повышается энергоемкость процессов, при этом крайне остро стоят проблемы миниатюризации и повышения КПД. Многие проблемы позволяет решить использование источников вторичного питания на основе силовых модулей, что наряду с широкой применимостью IGBT-модулей для питания электропривода, простотой управления и возможностью коммутации мощностей до тысяч киловатт делает их одним из базовых элементов современной силовой электроники.
Рынок силовых модулей в России развивается, но на данный момент сильно отстает от общемирового, при этом основная масса применяемых в отечественной промышленности изделий выпускается зарубежными фирмами. Силовые модули импортного производства часто закладываются в элементную базу даже при разработке оборудования специального назначения (за неимением отечественных аналогов), хотя применимость данных изделий ограничивается суженным диапазоном рабочих температур, ограниченной защищенностью изделия от климатических условий и механических воздействий, а также отсутствием стойкости к спецфакторам.
Учитывая потребности отечественной промышленности, компания «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» разработала и освоила линейку силовых модулей (рис. 1), обладающих следующими конкурентными преимуществами:
- Серийно выпускаемые изделия с приемкой «5» с гарантированной ТУ стойкостью к воздействию специальных факторов внесены в перечень ЭКБ. Для упрощения разработки оборудования на этапе макетирования, а также для производственных нужд общепромышленного назначения вся линейка силовых модулей и диодных сборок имеет аналоги с приемкой «1».
- Металлополимерные корпуса монолитной конструкции, обеспечивающие полную защиту от климатических факторов в широком диапазоне температур (–60…+125 °С, хранение до +150 °С).
- Широкая номенклатура, включающая наиболее востребованные схемотипы изделий: одиночные ключи, нижние и верхние чопперы, полумосты, трехфазные мосты, одиночные и сдвоенные диоды.
- Наличие в линейке изделий, обладающих совместимостью pin-to-pin с импортными IGBT-модулями с шириной основания 34 и 62 мм.
- Наличие в линейке изделий в корпусах собственной разработки, позволяющих обеспечить миниатюризацию оборудования, в том числе аналог популярного корпуса SOT-227 с улучшенными механическими характеристиками и климатической стойкостью.
- «Мягкие» динамические характеристики. Электрические и временные характеристики на уровне зарубежных аналогов.
Силовые модули производства АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» внесены в перечень ЭКБ 03-2020 и с начала серийного выпуска нашли широкое применение во многих отраслях промышленности, в ряде сфер не имея альтернатив благодаря своей радиационной и климатической стойкости. Но, несмотря на серийное производство и многолетний положительный эксплуатационный опыт, линейка силовых модулей не перестает развиваться. Опираясь на полученные за долгое время выпуска навыки в изготовлении IGBT- и FRD-модулей, множество проведенных исследовательских работ и экспериментов, а также учитывая практику и пожелания потребителей, «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» провела работу по модернизации наиболее массовых корпусов — МПК-34 и МПК-62.
Изменения претерпят не только конструкция корпуса (рис. 2), который стал еще более жестким и надежным, но и внутренняя разводка прибора (рис. 3). Улучшения механических свойств корпуса удалось добиться за счет замены материала и технологии изготовления деталей, что позволило отказаться от использования нескольких корпусных элементов, объединив их в один и добавив дополнительные внутренние силовые конструкции. При этом, естественно, полностью сохраняются габаритные и присоединительные размеры, размерная сетка выводов, цоколевки изделий и все ключевые параметры.
Обновленный корпус создавался не только для улучшения механических свойств, но и для оптимизации сборочных процессов и параметров готовых изделий с учетом накопленного опыта. В результате удалось унифицировать ряд деталей, переработать конструкции плат и схемы размещения кристаллов, а также применить новые методики сборки, некоторые из них не имеют аналогов. За счет этого были уменьшены паразитные емкости и индуктивности силовых и сигнальных цепей, улучшена помехозащищенность приборов, обеспечено более равномерное распределение тепла по поверхности основания при работе прибора и снижено Rth. Разница в эффективности теплоотвода от кристалла между текущей и обновленной конструкцией может достигать 5%, что видно из расчетных моделей (рис. 4).
Кроме улучшения ряда эксплуатационных параметров, в том числе энерго- и термоциклостойкости приборов, обновленные конструкции корпусов позволяют при необходимости разместить больше схемных типов, открывая дополнительные возможности для дальнейшего развития линейки силовых модулей. Выпуск приборов в корпусах обновленной конструкции намечен на конец 2021 года.
Перспективным путем дальнейшего развития линейки силовых модулей общего и специального назначения видится применение в производстве кристаллов на основе широкозонных полупроводников. Одним из первых в России АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» освоило собственное серийное производство диодов Шоттки на основе карбида кремния, что позволяет наряду с «классическими» вариантами IGBT- и FRD-модулей на кремниевых диодах и транзисторах выпускать и так называемые гибридные модули на основе кремниевых IGBT- и SiC-диодов.
Для исследования возможности и перспективности применения SiC-диодов Шоттки было проведено сравнение экспериментального образца с серийно выпускаемым аналогом на FRD (рис. 5, табл.).
Параметр |
Режим измерения |
МКТКИ9-100-12-34 |
МТКИ9-100-12-34 |
---|---|---|---|
UКЭнас, В |
IK = 100 А, UЗЭ = 15 B |
1,89 |
|
UПР, В |
IПР = 100 А |
1,68 |
1,80 |
UЗЭ пор, В |
UКЭ = UЗЭ, IК = 8 мА |
6,64 |
6,65 |
IЗЭ ут, нА |
UКЗ = UЗЭ = ±15 В |
1 |
|
IКЭ ут, мкА |
UЗЭ = 0 В, UКЭ = 1200 B |
100 |
1 |
tобр.вос., нс |
UКЭ = 600 В, IПР = 100 А, dI/dt = 1100 А/мкс |
75 |
140 |
tвкл, нс |
UКЭ = 600 В, IПР = 100 А, RЗ = 4,7 Ом |
200 |
350 |
tвыкл, нс |
415 |
||
Eвкл, мДж |
3,0 |
12,0 |
|
Eвыкл, мДж |
4,0 |
Из приведенных осциллограмм и таблицы видно, что применение SiC-диодов Шоттки позволяет значительно снизить энергию потерь и время включения IGBT, а значит, и поднять рабочие частоты прибора. К недостаткам гибридных модулей относительно кремниевых IGBT-модулей можно отнести повышенные обратные токи диодов и более высокую стоимость, а относительно модулей, собранных исключительно на SiC-кристаллах, — более низкое быстродействие и пониженную рабочую температуру. Таким образом, гибридные модули занимают промежуточную нишу между Si и SiC силовыми модулями, частично сочетая основные достоинства обоих типов: относительную доступность и повышенное быстродействие.
На данный момент АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» по заявкам потребителей производит макетные образцы гибридных IGBT-модулей и диодных сборок на основе SiC-диодов Шоттки, возможны разработка и выпуск новых типономиналов приборов по просьбе заказчика. Также по запросу возможно освоение серийного производства изделий общего назначения.
Силовые IGBT-модули являются ключевыми элементами современной силовой электроники для большинства типов преобразовательного оборудования. Для России это динамично развивающийся рынок с серьезной конкуренцией в лице зарубежных производителей, прочно занявших свою нишу в самых разных отраслях промышленности. Только постоянное развитие технологий и конструкций, использование новых материалов, обеспечение преимуществ по климатической стойкости и стойкости к специальным факторам, а также 100%-ный контроль качества на каждом этапе производства позволяют конкурировать с импортными изделиями и обеспечивать выполнение программы импортозамещения.