Источники питания

В последнее время в мире активно развивается направление разработки и производства импульсных источников питания на мощных интегральных микросхемах. Мощность данных источников питания варьируется от сотен милливатт до сотен ватт. Специалисты фирмы Power Integrations (PI) разработали целый ряд семейств таких микросхем. Это дает возможность строить импульсные источники питания с входным питающим напряжением в диапазоне от 16 до 400 В. Преимущества микросхем фирмы PI заключаются в следующем: Устраняют до 50 внешних дискретных компонентов, чем существенно снижают стоимость системы. Содержат ...

В статье представлены программируемые источники питания серии Genesys фирмы Nemic-Lambda (Израиль), характеризующиеся высокими энергетическими, массо-габаритными, точностными и надежностными показателями. Изделия подключаются к интерфейсам последовательной связи и программируются дистанционно. Возможность подключения к универсальной интерфейсной шине GPIB позволяет легко интегрировать изделия в...

Основные усилия компаний, производящих компоненты для силовой электроники, направлены на удовлетворение жесточайших требований, предъявляемых сегодня к преобразователям напряжения. Одним из основных является требование по электромагнитной совместимости. Современные силовые ключи, в первую очередь MOSFET и IGBT, имеющие очень высокие скорости переключения, неизбежно становятся источником электро...

Современные высокопроизводительные микропроцессоры типа FPGA и ASIC имеют высокую плотность упаковки транзисторов и тонкий слой оксида под затвором. Их объединяет низкое рабочее напряжение питания, причем ток потребления может резко изменяться от миллиампер до десятков ампер и обратно. Чтобы обеспечить питанием высокопроизводительное оборудование, например, серверы и телефонные станции, использ...

Вместе с развитием компонентов силовой электроники сегодня совершенствуется и схемотехника преобразователей электрической энергии для полного использования возможностей новых типов силовых полупроводниковых приборов. Рост единичных мощностей преобразователей электрической энергии и используемых частот преобразования, ставшие возможными с применением новой элементной базы, повышают требования по...

В статье рассмотрены требования, предъявляемые к системам управления современных транзисторных преобразователей напряжения. Проведено сравнение существующей аналоговой, а также смешанной и полностью цифровой системой управления. Показаны возможности выпускаемых микроконтроллеров, применимых в преобразовательной технике. Кроме того, приведены данные испытаний преобразователей напряжения, использ...

В статье простыми методами исследовано влияние широтно-импульсного управления на свойства контура регулирования тока, а также показаны причины возникновения нежелательных колебаний и пути их исключения.

Статья продолжает тему публикаций в «СЭ» №№ 1 и 2 за 2004 год, посвященных использованию и проектированию зарядных устройств на базе однотактных преобразователей напряжения.

При работе однотактного преобразователя напряжения на ключевом транзисторе возникают перенапряжения, обусловленные как коммутационными процессами, так и процессами, связанными с перемагничиванием сердечника силового трансформатора. Эти перенапряжения достигают больших значений и могут привести к выходу из строя полупроводниковых приборов, а также способствуют увеличению уровня помех на входе пр...

В данной статье рассмотрены варианты регулирования мощности в классе схем тиристорных преобразователей со встречно-параллельными диодами, работающих в качестве источников питания систем индукционного нагрева, а также работа подсистемы повышения коммутационной устойчивости и снижения токовой загрузки вентилей схемы за счет частотного регулирования.