Компоненты силовой электроники
Новая серия IGBT-модулей от Mitsubishi
Компания Mitsubishi начала разработку новой серии мощных полумостовых модулей Mega Power Dual (MPD) с номиналами до 2500 А/1200 В и до 1800 А/1700 В для промышленного применения.
Сокращение сроков изготовления модулей Vicor
Компания Vicor объявила о сокращении сроков изготовления модулей Vicor 2-го поколения.
TBU — новый продукт от BOURNS
Компания BOURNS выпустила TBU — самовосстанавливающееся устройство предохранения от скачков энергии.
Новый датчик тока ACS758 от Allegro Microsystems
Компания Allegro Microsystems, занимающаяся разработкой однокристальных датчиков различного применения, предложила новое экономное решение для измерения постоянного и переменного тока до 200 А с высокой точностью. Датчик, выполненный в виде микросхемы, состоит из очень точного линейного датчика Холла, интегрированного на кристалл микросхемы, и медного проводника, размещенного близко к кристаллу. Электрический ток, протекая через проводник, создает магнитное поле, которое фиксируется датчиком Холла и преобразуется в напряжение, пропорциональное значению входного тока.
При прохождении ...
Новый Large Can DirectFET MOSFET IRF6718 от International Rectifier
International Rectifier объявила о выпуске нового DirectFET MOSFET IRF6718 с самым низким сопротивлением открытого канала
Шестое поколение IGBT модулей Mitsubishi Electric: серия NX
Mitsubishi Electric выпустила новую NX-серию IGBT модулей, в которых применены IGBT кристаллы 6-го поколения.
AUIRS2003S — новый высокоскоростной MOSFET драйвер International Rectifier для автомобильных приложений
International Rectifier представляет высокоскоростной драйвер MOSFET верхнего и нижнего плеча выходных каналов.
Новые Benchmark MOSFET от International Rectifier для индустриальных применений
International Rectifier анонсировала новые Benchmark MOSFET транзисторы на 30 В с ультранизким значением Qg.
Новые MOSFET силовые транзисторы от International Rectifier серии IRFB46xx и IRFS46xx
International Rectifier анонсировала новые MOSFET силовые транзисторы на 150 и 200 В с ультранизким значением Qg.