Реклама

Повышение качества измерений характеристик обратного восстановления высоковольтных тиристоров для последовательных сборок
К тиристорам в составе последовательных сборок предъявляется ряд специфических требований, к числу наиболее важных из них относятся требования синхронности функционирования всех тиристоров в сборке при включении и в процессе обратного восстановления. В статье описан комплекс оборудования, применяемый «Протон-Электротекс» для испытаний тиристоров, адаптированных для последовательных сборок.

24.02.2021 | Компоненты силовой электроники, Измерительные приборы
Метки:
Оставить комментарий

Применение технологии синтеринга для снижения потока отказов при эксплуатации мощных тиристоров
В статье обсуждается возможность снижения деградационных и ранних отказов силовых полупроводниковых тиристоров с диаметром полупроводникового кристалла 80 мм и более за счет применения технологии низкотемпературного спекания кремниевых элементов и молибденовых термокомпенсаторов. Исследованы сравнительные зависимости параметров VTO/rT, Rthjc, ITAV, ITSM от усилия сжатия для вариантов синтеринг/...

15.10.2020 | Тиристоры, Технологии
Метки:
Оставить комментарий

Создание современной технологической линии производства IGBT-модулей в «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС»
В статье приведен краткий обзор технологического процесса и основных единиц оборудования, применяемых в производстве силовых IGBT-модулей АО «ПРОТОН–ЭЛЕКТРОТЕКС». Освоение производства этих компонентов стало важным этапом стратегии развития предприятия и обещает стать ключевым звеном его продуктовой программы. В связи с переходом мировой экономики к использованию энергосберегающих и возобновляе...

28.04.2020 | IGBT, Технологии
Метки:
Оставить комментарий

Новые мощные тиристоры с повышенной нагрузочной способностью
Несмотря на бурное развитие полностью управляемых силовых полупроводниковых ключей (IGBT, IGCT), для целого ряда применений, особенно в высоковольтном энергетическом оборудовании, остается технически оправданным использование мощных высоковольтных тиристоров с повышенной нагрузочной способностью. Компания ЗАО «Протон-Электротекс» провела научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы ...

03.05.2013 | Компоненты силовой электроники
Метки:
Оставить комментарий

Моделирование зависимости ударного тока от длительности и числа импульсов прямого тока, протекающего через силовой полупроводниковый прибор
В статье приводятся аналитические выражения, описывающие зависимость ударного тока от длительности и числа импульсов прямого тока, протекающего через силовой полупроводниковый прибор. Путем сравнения теоретических расчетов с результатами компьютерного моделирования проверена адекватность полученных выражений.

06.09.2011 | Технологии
Оставить комментарий

Моделирование частотных характеристик силовых полупроводниковых приборов
В статье изложены физические основы расчета потерь и средней их мощности в силовых полупроводниковых диодах и тиристорах при прохождении через них синусоидальных импульсов тока. Описана разработанная математическая модель, позволяющая строить частотные зависимости амплитуды этих импульсов в стационарных условиях работы приборов. На примере СПП ДЛ343-630-34 и МТ3-500 проведен сравнительный анали...

06.09.2011 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Коммутационные параметры силовых полупроводниковых приборов, характеризующие их переключение из проводящего в непроводящее состояние
Рассмотрены коммутационные параметры, характеризующие переключение силовых полупроводниковых приборов из проводящего состояния в непроводящее (их выключение) под действием импульса обратного напряжения. Предложена математическая модель, описывающая зависимость этих параметров от силы прямого тока и скорости его спада перед выключением. Описаны разработанные на основе экспериментальных данных ал...

28.03.2011 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Моделирование нестационарных тепловых процессов и расчет допустимых токов перегрузки силовых полупроводниковых приборов
В статье изложены физические основы численного моделирования нестационарных тепловых процессов в структурах силовых полупроводниковых приборов. Приведен алгоритм численного расчета допустимых токов перегрузки. Представлены результаты моделирования тепловых процессов при работе тиристора Т243-500 и диода ДЛ343-630-34.

18.02.2011 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Моделирование температурной зависимости вольт-амперной характеристики силовых полупроводниковых приборов
Получены аналитические выражения, описывающие температурную зависимость прямой и обратной ветви вольт-амперной характеристики силовых полупроводниковых приборов. Путем сравнения теоретических расчетов с экспериментальными данными проверена адекватность полученных выражений.

26.01.2011 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2025 Силовая электроника