IGBT-модули. Практическое исследование трехуровневых инверторов, выполненных по гибридной технологии с использованием SiC- и Si-транзисторов

Трехфазные выходные инверторы, установленные в современных системах солнечных батарей, бесперебойных источниках питания и устройствах преобразования энергии общего назначения, часто основаны на трехуровневых топологиях с использованием кремниевых IGBT. В этой статье демонстрируется потенциал гибридного инвертора, выполненного на базе карбид-кремниевых МОП-транзисторов CoolSiC и кремниевых транз...

Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree.
Часть 1. Оценка влияния паразитных элементов

Паразитные индуктивности силовых коммутационных цепей оказывают большое влияние на выбор и использование модулей SiC MOSFET. Особенное значение имеет режим включения, при котором внутреннее перенапряжение модуля может стать критическим, однако не менее важны вопросы генерации электромагнитных помех (EMI).

Влияние входного фильтра на характеристики импульсных преобразователей постоянного напряжения

В статье с помощью линеаризованной малосигнальной модели рассматривается влияние входных фильтров нижних частот на характеристики импульсных преобразователей постоянного тока (конвертеров). Получены аналитические выражения передаточной функции и выходного напряжения, которые позволяют построить графики Боде и оценить степень воздействия фильтра.

Полный карбид-кремниевый MOSFET-модуль на 3,3 кВ: новый класс эффективности тяговых инверторов

Компания «Мицубиси Электрик» представляет новый силовой модуль на карбидкремниевых кристаллах диодов и транзисторов (Full SiC) с блокирующим напряжением 3,3 кВ и номинальным током 750 А. Устройство выходит на рынок в новейшем типоразмере корпуса LV100 [5], особенно подходящем для использования в тяговых инверторах и модульных конструкциях преобразователей. В статье приведены основные характерис...

Все статьи цикла «Эволюция импульсных источников питания: от прошлого к будущему»

Все статьи цикла «Эволюция импульсных источников питания: от прошлого к будущему», в котором авторы проводятанализ истории развития импульсных источников питания. Анализируются особенности нового класса импульсных источников питания, начиная с 1970 годов.

Концепция мощного SiC-модуля со сверхнизкой коммутационной индуктивностью

Развитие технологии карбида кремния потребовало кардинального изменения подхода к проектированию корпусов силовых модулей. В мощных источниках питания, преобразователях для солнечной энергетики, медицинской техники и индукционного нагрева востребованы сильноточные быстрые ключи с номинальным током свыше 400 А. Сегодня на рынке предлагаются кристаллы SiC-диодов и SiC MOSFET, имеющие Inom до 50 А...

АО «Протон-Электротекс»: история успеха длиной в 25 лет

АО «Протон-Электротекс» готовится отметить свой 25-летний юбилей. Мы попросили начальника отдела маркетинга Алексея Александровича Черкасова рассказать о том, чего удалось достигнуть за эти годы, и о планах на будущее.

Алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером

Алюминиевые электролитические конденсаторы — востребованные и привычные элементы электронной и электротехнической аппаратуры самого широкого профиля. Без их помощи невозможно решить многие вопросы, связанные с преобразованием и использованием энергии. Однако современное развитие техники требует изменений и в этих, можно сказать консервативных, элементах. Одним из перспективных направлений здесь...

Обзор IGBT-драйверов AgileSwitch

Современные драйверы силовых ключей должны отличаться повышенной эффективностью, широким функционалом и высокой надежностью. К сожалению, процесс разработки таких устройств требует большого опыта и значительных финансовых и временных затрат. Все это приводит к росту интереса к законченным модульным решениям. Данная статья посвящена обзору готовых драйверов IGBT-модулей от компании AgileSwitch. ...

Компания «ЛИГРА»приступила к производству охладителей типа О57

«ЛИГРА» освоила производство новой продукции — охладителей типа О57, которые подойдут под самые разные требования заказчиков. Доступен выбор таких параметров, как толщина основания (от 14 мм), высота запрессованных ребер (50-77 мм) и шаг между ребрами (от 4 мм). При этом по мере увеличения высоты ребер растет и площадь поверхности охладителя. Рабочая поверхность новых охладителей отличается высоким качеством обработки, что помогает снизить тепловое сопротивление. Производственные мощности компании, квалифицированный персонал и опыт поставок готовых деталей, выполненных по чертежу заказчика, ...