Microsemi

Корпорация Microsemi представила новую серию супрессоров 1N8149/US-1N8182/US с ультранизкой емкостью, предназначенную для высоконадежных применений. Корпорация Microsemi создала новые супрессоры для применения в защитных цепях скоростных линий обмена данными и других разработках, в которых требования защиты значительно превосходят возможности традиционных подавителей бросков напряжения с низкой емкостью. Супрессоры обеспечивают защиту интерфейса Ethernet и других информационных интерфейсов со скоростями обмена данными до 500 Мбит/с. Новые подавители бросков напряжения 1N8149-1N8182 и ...

Корпорация Microsemi представила новый силовой модуль MOSFET на основе карбидкремния. Новый SiC MOSFET создан по запатентованной технологии Microsemi и позволяет разработчикам проектировать решения с еще большей частотой преобразования и более высоким КПД. Особенности SiC MOSFET, изготавливаемых по технологии Microsemi: лучшая в своем классе зависимость сопротивления канала RDS(ON) от температуры; ультранизкое сопротивление канала для минимизации энергии переключения; повышенная максимальная частота переключения. Новый модуль APTSM120AM14CD3AG представляет собой транзисторную ...

Корпорация Microsemi раскрыла особенности работы высоконадежных радиационно стойких DC/DC-преобразователей SA50-120-28S при неисправностях в нагрузке. При штатной работе высоконадежные системы электропитания должны не только соответствовать параметрам, заявленным в технической документации, но и обеспечивать предсказуемое поведение при отказах. Особенности схемы защиты от перегрузок модуля SA50-120-28S характеризуются кривой V-I, представленной на рис. 1. Если отказ в нагрузке ограничивает выходное напряжение значением менее 20 В, как это происходит при коротком замыкании, ...

Корпорация Microsemi объявила о проводимых работах по созданию второго поколения радиационно стойких MOSFET-транзисторов семейства I2MOS. В ходе тестирования, осуществленного в Техасском университете A&M, транзисторы нового семейства I2MOS показали рабочее значение суммарной накопленной дозы до 300 крад и устойчивость к эффекту воздействия ТЗЧ более 85 МэВ. На рисунках приведены характеристики радиационно стойких MOSFET-транзисторов компании Microsemi, полученные в ходе тестирования при рабочем напряжении 200 В. Сейчас доступны тестовые образцы MOSFET-транзисторов семейства I2MOS с ...

Корпорация Microsemi представила высоконадежное устройство PD-OUT/SP11, предназначенное для защиты от воздействия молний уличного оборудования сетей стандарта PoE (Power over Ethernet). PD-OUT/SP11 является однопортовым компонентом, защищающим все восемь линий кабеля Ethernet для скоростей обмена данными до 10/100/1000 Мбит/с оборудования с системой организации питания PoE мощностью до 95 Вт. Компонент оптимизирован для работы с устройствами наружной установки, такими как камеры видеонаблюдения и беспроводные точки доступа к ЛВС, и обеспечивает защиту от воздействия молний до уровней ...

Компания Microsemi рассказала о возможностях параллельного включения радиационно стойких DC/DC-преобразователей серии SA50. Для увеличения суммарной мощности источника питания выходы DC/DC-преобразователей серии SA50 могут быть соединены параллельно, обеспечивая до 300 Вт выходной мощности в зависимости от конфигурации схемы. Типичными конфигурациями являются параллельное включение двух модулей SA50-120-28S, обеспечивающее получение выходной мощности 100 Вт и выходного напряжения 28 В, а также параллельное включение модулей SA50-120-5-12T и SA50-5-15T, обеспечивающее получение уровней ...

В техасском университете A&M (TAMU) завершено тестирование двух радиационно стойких MOSFET-транзисторов нового поколения — MRH20N19U3 и MRH15N19U3 компании Microsemi. Радиационно стойкие компоненты выполнены по технологии I2MOS и обладают устойчивостью к эффекту единичного воздействия ТЗЧ на максимальных рабочих напряжениях. Результаты тестирования показали, что транзисторы способны функционировать во всем диапазоне рабочих уровней напряжения смещения стока (VD bias) в условиях воздействия ТЗЧ с величиной линейной передачи энергии (ЛПЭ), равной 85. MOSFET-транзистор MRH20N19U3 с ...

Корпорация Microsemi представила выполненный по технологии GaN-on-SiC транзистор 1416GN-600V, предназначенный для разработок импульсных радаров и авиационных применений. Изготовленный по технологии «нитрид галлия на подложке из карбида кремния» (GaN-on-SiC), компонент 1416GN-600V является внутренне согласованным транзистором с высокой подвижностью электронов класса AB. Он обеспечивает усиление до 16,8 дБ и уровень импульсной выходной радиочастотной мощности 600 Вт при ширине импульса 300 мкс и 10%-ном коэффициенте заполнения во всей полосе частот 1400–1600 МГц. Транзистор внутренне ...

Microsemi Corporation представила новое семейство карбидокремниевых MOSFET-транзисторов, нормированных на рабочее напряжение 1200 В и предназначенных для применения в силовых промышленных устройствах, особо требовательных к высокому уровню КПД: солнечные инверторы, электромобили, сварочные установки и медицинские устройства. Новые карбидокремниевые MOSFET-транзисторы Microsemi позволят быстрее разрабатывать решения, действующие на более высокой частоте и, как результат, повышающие эффективность системы в целом. Технологические особенности SiC MOSFET-транзисторов Microsemi: Одна из лучших ...

Компания Microsemi объявила о начале поставок образцов радиационно стойких MOSFET-транзисторов нового поколения для космических применений. Новая линейка MOSFET-транзисторов, выполненных по технологии I2MOS, предоставляет разработчикам последние технологические улучшения в области радиационно стойких транзисторов, предназначенных для применения в космическом оборудовании. Предварительное тестирование транзисторов серии I2MOS показало существенные улучшения показателей стойкости к эффекту единичного события и суммарной накопленной дозы по сравнению с существующими технологиями. Транзисторы ...