Транзистор 1416GN-600V Microsemi для импульсных радаров и авиационных применений

Корпорация Microsemi представила выполненный по технологии GaN-on-SiC транзистор 1416GN-600V, предназначенный для разработок импульсных радаров и авиационных применений.

Изготовленный по технологии «нитрид галлия на подложке из карбида кремния» (GaN-on-SiC), компонент 1416GN-600V является внутренне согласованным транзистором с высокой подвижностью электронов класса AB. Он обеспечивает усиление до 16,8 дБ и уровень импульсной выходной радиочастотной мощности 600 Вт при ширине импульса 300 мкс и 10%-ном коэффициенте заполнения во всей полосе частот 1400–1600 МГц. Транзистор внутренне согласован для эффективного получения оптимального уровня рабочих характеристик.

Транзистор 1416GN-600V выпускается в герметичном корпусе 55-KR и создан специально для использования в импульсных радарах и авиационных разработках. При его изготовлении применяется металлизация золотом и пайка эвтектическими сплавами, что позволяет получить высокую надежность и отличную механическую прочность конструкции.

Основные характеристики транзистора 1416GN-600V:

• максимальная рассеиваемая мощность (при 25 °C): 1200 Вт;
• напряжение сток-исток (VDSS): 150 В;
• напряжение затвор-исток (VGS) –8…+0 В;
• температура хранения (TSTG): от –55 до +125 °C;
• рабочая температура перехода: +250 °C.