Новый силовой модуль MOSFET на основе карбидкремния

Корпорация Microsemi представила новый силовой модуль MOSFET на основе карбидкремния. Новый SiC MOSFET создан по запатентованной технологии Microsemi и позволяет разработчикам проектировать решения с еще большей частотой преобразования и более высоким КПД.

Особенности SiC MOSFET, изготавливаемых по технологии Microsemi:

• лучшая в своем классе зависимость сопротивления канала RDS(ON) от температуры;
• ультранизкое сопротивление канала для минимизации энергии переключения;
• повышенная максимальная частота переключения.

Новый модуль APTSM120AM14CD3AG представляет собой транзисторную сборку в конфигурации «полумост», рассчитанный на рабочее напряжение 1200 В и ток 180 А, обладает великолепными частотными характеристиками и минимальными потерями, что позволяет обеспечить ток 40 А при частоте 400 кГц в режиме жесткого переключения.

Технические характеристики:

• Тип корпуса: D3.
• Напряжение (Vdss): 1200 В.
• Rds(on): 14 мОм.
• Id: 180 А.

Новый силовой модуль найдет свое применение в таких областях, как сварочные аппараты, индукционный нагрев, источники бесперебойного питания и импульсные источники питания.