Новые MOSFET-транзисторы в линейке радиационно стойких компонентов от Microsemi

Корпорация Microsemi объявила о проводимых работах по созданию второго поколения радиационно стойких MOSFET-транзисторов семейства I2MOS.

В ходе тестирования, осуществленного в Техасском университете A&M, транзисторы нового семейства I2MOS показали рабочее значение суммарной накопленной дозы до 300 крад и устойчивость к эффекту воздействия ТЗЧ более 85 МэВ. На рисунках приведены характеристики радиационно стойких MOSFET-транзисторов компании Microsemi, полученные в ходе тестирования при рабочем напряжении 200 В.

Сейчас доступны тестовые образцы MOSFET-транзисторов семейства I2MOS с рабочим напряжением 150 и 200 В. Планируется, что семейство I2MOS будет включать устройства с рабочими напряжениями, находящимися в диапазоне от 30 до 250 В.