SiC MOSFET-транзисторы компании Microsemi для высоковольтных промышленных применений

Microsemi Corporation представила новое семейство карбидокремниевых MOSFET-транзисторов, нормированных на рабочее напряжение 1200 В и предназначенных для применения в силовых промышленных устройствах, особо требовательных к высокому уровню КПД: солнечные инверторы, электромобили, сварочные установки и медицинские устройства.

Новые карбидокремниевые MOSFET-транзисторы Microsemi позволят быстрее разрабатывать решения, действующие на более высокой частоте и, как результат, повышающие эффективность системы в целом. Технологические особенности SiC MOSFET-транзисторов Microsemi:

• Одна из лучших в своем классе зависимость сопротивления открытого канала от температуры.
• Сверхнизкое сопротивление затвора.
• Высокая максимальная частота коммутации.
• Устойчивость к короткому замыканию.

Параметры 1200-В карбидокремниевых MOSFET-транзисторов компании Microsemi нормированы при сопротивлении открытого канала 80 и 50 мОм и предоставляют потребителям значительную гибкость разработки, поскольку выпускаются в корпусах TO-247 и SOT-227. Линейка новых высоковольтных SiC MOSFET транзисторов Microsemi включает:

• APT40SM120B 1200 В, 80 мОм, 40 А, корпус TO-247.
• APT40SM120J 1200 В, 80 мОм, 40 А, корпус SOT-227.
• APT50SM120B 1200 В, 50 мОм, 50 А, корпус TO-247.
• APT50SM120J 1200 В, 50 мОм, 50 А, корпус SO-227.

На текущий момент новые 1200-В карбидокремниевые MOSFET-транзисторы доступны для поставки формфактора TO-247, а с июля 2014 года Microsemi Corporation планирует начать производство в корпусах SOT-227.

Информация предоставлена компанией КВЕСТ