Мощные высоковольтные источники питания. Часть 4
5 сентября, 2011
Предыдущая часть статьи. Все статьи цикла. В статье [1] приводятся сведения об областях применения мощных высоковольтных источников питания и их классификация. Рассмотрены существенные отличия ВВИП от низковольтных источников питания и дан обзор структур построения мощных ВВИП в аспекте их развития. В работе [2] отмечаются особенности высоковольтных (ВВ) блоков и модулей источников высокого напряжения и приводятся основные характеристики входящих в них высоковольтных компонентов. Также […]IGBT силовые транзисторы International Rectifier шестого поколения
11 января, 2011
Известно, что биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT — Insulated Gate Bipolar Transistor) обладают преимуществами легкого управления полевыми МОП-транзисторами и низкими потерями проводимости, характерными для биполярных транзисторов. На рис. 1 показана эквивалентная схема IGBT-транзистора. Традиционно IGBT используют в тех случаях, где необходимо работать с высокими токами и напряжениями. IGBT-транзисторы в настоящее время выпускают десятки производителей. […]Вспомогательный преобразователь на основе IGBT-модулей 65-го класса, работающий от контактной сети 3 кВ
24 марта, 2020
Во многих странах железные дороги получают напряжение контактной сети 3 кВ DC. В связи с этим особую актуальность приобретает такая тема, как применение среднечастотного трансформатора и модулей IGBT на 6,5 кВ для обеспечения необходимого уровня электроизоляции между сетью высокого напряжения и потребителями. В статье рассматривается вспомогательный преобразователь с выходной мощностью около 100 кВт, выдерживающий воздействия со стороны сети и показывающий повышенную надежность при внутренних неисправностях, а также при улучшенных энергетических и эксплуатационных показателях.