Многоуровневые преобразователи: схемы, особенности применения, алгоритмы управления. Часть 2
24 мая, 2021
Часть 1. Коммутационные состояния В трехуровневом инверторе два из четырех транзисторов в фазной стойке открыты в любой момент времени. Соответственно, каждый фазный выход (a, б или в) может быть подключен к любой точке банка конденсаторов (M0, M1, M2). Таким образом, число состояний конвертера: nsw = Nph = 33 = 27 где N — количество уровней […]Макромоделирование устройств на мощных MOSFET в SimPowerSystems
27 апреля, 2012
Мощные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) в настоящее время стали основным типом силовых транзисторов [1–7]. По энергетическим параметрам они незначительно уступают тиристорам и IGBT, но заметно превосходят их по динамическим параметрам. Области применения MOSFET простираются от маломощных инверторов для сотовых телефонов и мобильных компьютеров до мощных промышленных энергетических устройств и систем. В статье описаны средства макромоделирования силовых устройств на мощных MOSFET с помощью новейших реализаций матричной лаборатории MATLAB R2010a,b с обновленными […]Динамические характеристики SiC-диодов Шоттки
2 мая, 2024
В статье описаны основные особенности карбидокремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC SBD) и их отличия от так называемых тельных (технологических) p-n-диодов MOSFET.