Обзор продукции компании TECHSEM
Изделия TECHSEM [1] широко используются во многих областях промышленности, таких, например, как металлургия, электроэнергетика, химическая индустрия, железнодорожный транспорт. Они находят применение также в сварочном оборудовании и оборудовании для плавного старта и питания различных двигателей, в источниках питания, инверторах, преобразователях, выпрямителях и др.
Все приборы имеют маркировку СЕ и исполняются в соответствии с директивой European RoHS (Restriction of Hazardous Substances), ограничивающей использование опасных веществ в производимых электрических и электронных продуктах и запрещающей применение таких компонентов, как ртуть, кадмий, олово и некоторые виды хрома.
Для обеспечения высокого уровня качества продукции TECHSEM придерживается следующих принципов:
- все бизнес-процессы, включая разработку и производство, проводятся строго в соответствии с рекомендациями ISO 9001: 2008 Системы управления качеством, ISO14001 и OHSAS18001;
- в процессе производства неукоснительно проводятся проверка и тестирование продукции, включающие оценку внешнего вида и анализ параметров на всех этапах — от стадии присоединения подложки к чипу и до сборки капсулы или модуля;
- испытание продукции включает четыре категории — обычные проверки всех приборов (группа А), выборочный контроль (группа В), квалификационные испытания (группа С) и квалификационные проверочные испытания (группа D).
Основные виды выпускаемой компанией продукции:
- мощные полупроводниковые приборы таблеточного (капсульного) типа, к которым относятся низкочастотные, высокочастотные, быстродействующие запираемые и двунаправленные тиристоры, выпрямительные диоды, диоды с быстрым восстановлением, обратно переключаемые динисторы и изолированные капсулированные мощные модули;
- силовые модули, к которым относятся тиристорные, диодные и тиристорно-диодные модули (изолированного и неизолированного типа), одно- и трехфазные выпрямительные мосты, тиристоры с быстрым отключением, диодные модули с быстрым восстановлением и диоды со сверхбыстрым восстановлением;
- силовые полупроводниковые сборки, к которым относятся одно- и трехфазные полномостовые сборки, шестифазные мостовые сборки, переключатели переменного напряжения, высоковольтные сборки;
- различные радиаторы воздушного и водяного охлаждения;
- сборочно-монтажное оборудование.
Рассмотрим основные виды продукции более подробно.
Приборы капсульного типа

Рис. 1. Внешний вид прибора капсульного типа
Особенность этих приборов заключается в том, что они упаковываются в герметичные металлические корпуса с керамическими изоляторами — так называемые капсулы. Капсульные приборы разделяются на категории в соответствии с типом используемого в них чипа и электрическими параметрами. Внешний вид одного из таких приборов показан на рис. 1.
Рассмотрим виды приборов капсульного типа [2] подробнее.
Типы капсульных корпусов тиристоров серий КР и КК, а также диодов серии ZP, используемых в зависимости от прямого тока и обратного напряжения, приведены в таблице 1. Все эти приборы приспособлены для одно- и двустороннего охлаждения.
Тип корпуса | IFAV, A | VRRM, B |
Тиристоры серии КР | ||
КТ19 | 600 | 400 |
КТ25 | 1000 | 400-1000 |
КТ33 | 1500 | |
КТ19 | 500 | 600-1000 |
КТ50 | 2500 | |
КТ73 | 4000 | 600-1800 |
КТ19 | 400 | 1200-1800 |
КТ25 | 600 | |
КТ33 | 1000 | |
КТ50 | 1800 | |
КТ33 | 2800 | |
КТ50 | 1200 | 3000-4200 |
КТ73 | 1900 | |
КТ60 | 2400 | |
КТ38 | 400 | 6000-6500 |
КТ50 | 900 | |
КТ60 | 1600 | |
КТ84 | 2200 | |
КТ100 | 3500 | |
КТ125 | 5200 | |
Тиристоры серии КК | ||
КТ33 | 400 | 1200-1800 |
КТ33 | 800 | |
КТ50 | 1300 | |
КТ60 | 2000 | |
КТ73 | 2700 | |
КТ60 | 2100 | 2000-2800 |
КТ84 | 3800 | |
КТ100 | 4800 | |
Диоды серии ZP | ||
ZT19 | 1000 | 400 |
ZT25 | 1460 | |
ZT33 | 1990 | |
ZT44 | 6300 | |
ZT60 | 8500 | |
ZT19 | 600 | 1200-2000 |
ZT25 | 1310 | |
ZT33 | 1680 | |
ZT50 | 3000 | |
ZT73 | 6000 |
Регулируемые по фазе тиристоры серии КР производятся по диффузионной технологии и имеют ступенчатую структуру внутреннего усиления. Тиристоры быстрого включения серии КК могут работать при условии быстрого нарастания тока включения (di/dt), обладают высокими электрическими динамическими характеристиками, такими как низкие потери при переключении и быстрое время выключения. Выпрямительные диоды серии ZP — диффузионно-сплавные.

Рис. 2. Пример присвоения обозначения приборам капсульного типа:
1 — код прибора (Y — обычный прибор; Н — высоковольтный);
2 — диаметр используемого чипа, мм;
3 — тип чипа (KP, KK, ZP);
4 — код спецификации подложки;
5 — градации (рейтинг) прямого тока IFAV/ITAV = Code×100 А); 6 — градации (рейтинг) обратного напряжения (VDRM/VRRM = Code×100 В); 7 — обозначение кода корпуса
Пример присвоения обозначения приборам капсульного типа показан на рис. 2.
- К — корпус тиристора;
- Z — корпус диода;
- Т — выпуклая поверхность;
- А — вогнутая поверхность;
- 60 — код для катода и анода;
- две последующих буквы — высота корпуса, мм (aT — 14, cT — 26, dT — 35);
- 65 — опция для альтернативного применения чипа.
На рис. 3 приведен общий вид приборов капсульного типа, а в таблице 2 — ключевые индикаторы их корпусов.

Рис. 3. Общий вид прибора капсульного типа
Тип корпуса (КТ и ZT)* |
Диаметр керамического цилиндра, мм | Максимальный внешний диаметр катода, мм |
19 | 37 | 42 |
25 | 40,5 | 42 |
33 | 53 | 59 |
50 | 66 | 74 |
60 | 88 | 100 |
73 | 98 | 110 |
100 | 132 | 142 |
Примечание: * — тип чипа прибора: КТ — тиристор, ZT — диод.
В таблице 3 приведены соотношения между величиной входного сетевого напряжения (АС) и рекомендованным повторяющимся пиковым значением напряжения запертого прибора (VDRM) и значением обратного напряжения (VRRM).
Входное сетевое напряжение, В | Рекомендованные значения напряжений VDRM и VRRM, В |
60 | 200 |
125 | 400 |
250 | 800 |
380 | 1200 |
400 | 1400 |
440 | 1400 |
460 | 1600 |
500 | 1600 |
575 | 1800 |
660 | 2000 |
690 | 2200 |

Рис. 4. Маркировка прибора капсульного типа:
1 — код капсульного прибора;
2 — диаметр используемого чипа;
3 — тип чипа;
4 — код спецификации подложки;
5 — код рейтинга прямого тока;
6 — код рейтинга обратного напряжения;
7 — код даты выпуска;
8 — матричный код, содержащий сведения о продукте, номерах партий, производственной и измерительной линий и о дате выпуска
На рис. 4 показан прибор капсульного типа с нанесенной на его корпус маркировкой.
- усредненный прямой ток диода IFAV/усредненный ток включенного тиристора ITAV;
- пик (выброс) прямого тока диода IFSM/тиристора IFSM;
- пиковый интеграл нагрузки i2t;
- повторяющееся пиковое напряжение на запертом приборе VDRM/повторяющееся пиковое обратное напряжение VRRM;
- пиковое значение обратного тока утечки IDRM/пиковый обратный ток IRRM;
- пороговое напряжение VТО;
- сопротивление в проводящем направлении rF;
- пиковый прямой ток диода IFM/пиковый ток открытого тиристора ITM;
- пиковое напряжение проводящего диода VFM/открытого тиристора VTM
- время коммутации тока при выключении тиристора tq;
- критическая скорость нарастания напряжения открытого тиристора du/dt;
- термическое сопротивление соединения с корпусом Rth(j-c);
- термическое сопротивление соединения корпуса к тепловой подложке Rth(c-hs).
Для получения максимально возможного тока тиристорной или диодной капсулы чаще всего используется двустороннее охлаждение (Double-sided Cooling, DSC). В этом случае изделие зажимается между двумя идентичными тепловыми приемниками. Возможно также применение одностороннего охлаждения (Single-sided Cooling, SSD).
Могут использоваться воздушно-охлаждающие либо водно-охлаждающие тепловые приемники. В первом случае они должны быть смонтированы так, чтобы их охлаждающие наконечники были параллельны направлению охлаждающего воздуха и расположены близко к воздушным входам так, чтобы воздух предварительно не нагревался другими компонентами.
С целью гарантии хорошего электрического и термического контакта контактные поверхности тепловых приемников должны быть очищены до металлического блеска, а их плоскость должна иметь неровности, не превышающие 50 мкм на дюйм, а сами неровности должны быть менее 10 мкм. Контактные площадки должны быть покрыты тонким слоем (100 мкм) термического компаунда, такого, например, как Penetrox A или А13.
Силовые модули

Рис. 5. Внешний вид одного из вариантов силового модуля
Силовые модули TECHSEM [3] выполнены по различным схемным топологиям: тиристоры (серии МТ и МТС), выпрямительные диоды (серии MD и MDC), гибридные модули (серия MFC) и выпрямительные мосты (серия MDS). Диапазон выходных токов этих изделий составляет 26-570 А, а максимальное обратное напряжение достигает 3600 В. Помимо указанной выше маркировки СЕ, силовые модули имеют дополнительную маркировку компании по стандартизации и сертификации в области техники безопасности UL (Underwriters Laboratories Inc.).
Внешний вид одного из вариантов силового модуля показан на рис. 5.
Тип | Состав | Серия | Варианты корпусов* | Диапазон напряжений, В | Диапазон токов, А |
Тиристорный модуль | тиристор | МТ | 417F2 | 400-2500 | 26-570 |
полумостовая схема | МТС | 216F3, 223F3, 413F3, 416F3 | |||
Модуль выпрямительных диодов | диод | MD | 417F2 | ||
полумостовая схема | MDC | 216F3, 223F3, 413F3, 416F3 | |||
Гибридные модули (диоды и тиристоры) | MFC | 216F3, 223F3, 413F3, 416F3 | 1200-2500 | ||
Трехфазные выпрямительные мосты | MDS | 218Н5, 219Н5, 221Н5 | 800-2200 | 50-200 |
Примечание: * — варианты корпусов зависят от упаковочных размеров модулей
Для различных применений могут использоваться семь различных схемных топологий силовых модулей (рис. 6): MTC, MFC, MDC, MD, MT, MDS и MDQ.

Рис. 6. Различные схемные топологии силовых модулей
В зависимости от упаковочных размеров модулей имеется восемь различных их корпусов (рис. 7).

Рис. 7. Корпуса силовых модулей
Размеры корпусов силовых модулей приведены в таблице 5. Все модули имеют стандартный допуск на размер ±0,5 мм.
Тип корпуса | Длина, мм | Ширина, мм | Высота, мм |
223F3 | 92 | 21 | 30 |
216F3 | 94 | 34 | 29,2 |
413F3 | 115 | 50 | 50 |
417F2 | 100 | 50 | 52 |
416F3 | 150 | 60 | 50,5 |
218H5 | 80 | 39,9 | 27,5 |
219H5 | 80 | 40 | 27,5 |
221H5 | 110 | 50 | 29 |
Пример присвоения обозначения силовым модулям показан на рис. 8.

Рис. 8. Пример присвоения обозначения силовым модулям:
1 — схемная топология;
2 — нормированный ток ITAV, А;
3 — класс напряжения (VDRM/VRRM = Class×100 В);
4 — тип корпуса (рис. 7);
5 — опция

Рис. 9. Боковой вид силового модуля с нанесенной маркировкой:
1 — код типа корпуса (6G)/код топологии (TC)/производственный номер (М134021)/номер модуля при выпуске;
2 — код класса напряжения;
3 — код выхода годных;
4 — код дополнительных данных
На рис. 9 показан один боковой вид силового модуля с нанесенной на его корпус маркировкой. На рис. 10 показана маркировка, нанесенная на другой бок силового модуля.

Рис. 10. Другой боковой вид силового модуля с нанесенной маркировкой:
1 — логотип фирмы;
2 — маркировочный знак;
3 — тип модуля/класс напряжения/тип корпуса/номер партии;
4 — схема топологии
Полупроводниковые компоненты модулей весьма чувствительны к перенапряжению и токовым перегрузкам. Наиболее популярные методы защиты от перенапряжений:
- использование гасящих резисторов и сглаживающих конденсаторов;
- использование гасящих цепей на стороне АС;
- использование защитных варисторов и кремниевых лавинных диодов.
Для защиты компонентов от превышения тока, помимо радиаторов с воздушным и водяным охлаждением, могут использоваться прерыватели или предохранители в мощных цепях.
С целью получения более безопасных напряжений на них диоды и тиристоры можно соединять последовательно. Это важно для получения более однородного распределения напряжений на приборах. При этом напряжение на каждом диоде или тиристоре должно быть, по крайней мере, на 10% ниже, чем при применении одного прибора. При параллельном соединении диодов и тиристоров они должны иметь схожие характеристики проводимости и работать при прямых токах, не превышающих 80% от максимально допустимого значения.
К основным техническим параметрам силовых модулей относятся:
- средний прямой ток диода IF(AV)/средний ток включенного тиристора IT(AV);
- выброс прямого тока диода или тиристора IFSM;
- интегральная пиковая нагрузка i2t;
- повторяющееся пиковое напряжение запертого прибора VDRM/повторяющееся пиковое обратное напряжение VRRM;
- пиковая величина утечки обратного тока IDRM/пиковая величина обратного реверсного тока IRRM;
- пороговое напряжение VTO;
- сопротивление в проводящем направлении rF;
- пиковое напряжение проводящего диода VFM/открытого тиристора VTM;
- время коммутации тока при выключении тиристора tq;
- критическая скорость нарастания тока открытого тиристора di/dt,
- критическая скорость нарастания напряжения открытого тиристора du/dt,
- термическое сопротивление соединения с корпусом Rfh(j-c);
- испытательное напряжение изоляции Viso.
Рекомендации по монтажу силовых модулей остаются такими же, как и по монтажу приборов капсульного типа.
Силовые полупроводниковые сборки

Рис. 11. Внешние виды некоторых полупроводниковых сборок
Силовые полупроводниковые сборки имеют ряд преимуществ: возможность коммутации больших токов, быстрота включения (высокое значение нарастания тока включения di/dt), высокая надежность, долговечность и относительно небольшая стоимость.
Силовые сборки представляют собой определенным образом соединенные диоды, тиристоры и динисторы (сочетание транзистора и тиристора), выполненные в виде уже упоминавшихся капсул и модулей и собранные в так называемые колонны (стеки). В соответствии с требованием заказчика такие сборные конструкции могут быть специально разработаны для обеспечения всех электрических функций, включая коммутацию и защиту.
В некоторых сборках используются приборы со структурой обратно-переключаемого динистора (Reversevly Switching Dynistor, RSD), что обеспечивает возможность переключения ими очень больших токов. RSD переключается коротким (1-3 мкс) импульсом обратного тока от триггерной схемы. Во время этого импульса ток протекает через полупроводниковый переход, образуя тонкий слой плазмы, которая рассасывается, когда приложенная полярность напряжения возвращается к начальному состоянию.
Внешние виды некоторых полупроводниковых сборок показаны на рис. 11.

Рис. 12. Схемные топологии полупроводниковых сборок серии В2:
В2U — однофазный выпрямительный мост;
B2C — однофазный полноуправляемый мост;
B2HK, B2HA, B2HZ — однофазные полууправляемые мосты

Рис. 13. Схемные топологии полупроводниковых сборок серии В6:
B6U — трехфазный выпрямительный мост;
B6C — трехфазный полноуправляемый мост;
B6HK — трехфазный полууправляемый мост
Типы предлагаемых компанией TECHSEM силовых полупроводниковых сборок показаны на рис. 12-17. В таблице 6 приведены данные о некоторых свойствах и параметрах сборок всех указанных на рисунках серий.

Рис. 14. Схемные топологии полупроводниковых сборок серии М6:
M6UK — шестифазный неуправляемый мост с соединенными катодами;
M6UA — шестифазный неуправляемый мост с соединенными анодами;
M6CK — шестифазный управляемый мост с соединенными катодами;
M6CA — шестифазный управляемый мост с соединенными анодами

Рис. 15. Схемные топологии переключателей серии W:
W1C — однофазный переключатель переменного напряжения;
W3C — трехфазный переключатель переменного напряжения;
W3C2 — трехфазный переключатель переменного напряжения с одной замкнутой фазой

Рис. 16. Схемные топологии полупроводниковых сборок серии В6С:
(В6С)2 — трехфазный полноуправляемый мост с разомкнутыми цепями катодов и анодов;
(В6С)2I — трехфазный полноуправляемый мост с замкнутыми цепями катодов и анодов

Рис. 17. Схемные топологии высоковольтных сборок серии HV:
HVC — сборка с последовательно включенными тиристорами;
HVU — сборка с последовательно включенными диодами;
HVS (RDS) — сборка с последовательно включенными динисторами
Метод охлаждения | Тип устройства | Тип прибора | Диапазон выходных токов Id, А | Диапазон напряжений, В | |
Серия В2 | |||||
Воздушный | Модульный | В2х-ххх-хххFA | 40-160 | 100–2000 | |
В2х-ххх-хххFB | 180-200 | ||||
В2х-ххх-хххFС | 250-400 | ||||
Капсульный | В2х-ххх-хххFD | 300-800 | |||
В2х-ххх-хххFE | 800-1200 | ||||
В2х-ххх-хххFF | 1200-2000 | ||||
Водяной | В2х-ххх-хххSA(B/C/D/E) | 100-2500 | |||
В2х-ххх-хххSA(F/G/H) | 100-2500 | ||||
Серия В6 | |||||
Воздушный | Модульный | В6х-ххх-хххFA | 80-200 | 100–2000 | |
В6х-ххх-хххFB | 200-300 | ||||
В6х-ххх-хххFС | 300-500 | ||||
Капсульный | В6х-ххх-хххFD | 400-1600 | |||
В6х-ххх-хххFE | 1000-2000 | ||||
В6х-ххх-хххFF | 1500-3000 | ||||
Водяной | В6х-ххх-хххSA(B/C/D/E) | 300-4000 | |||
Серия В6С | |||||
Воздушный | Модульный | (B6C)2x-xxx-xxxFA | 80-150 | 100-2000 | |
(B6C)2x-xxx-xxxFB | 200-260 | ||||
Капсульный | (B6C)2x-xxx-xxxFE | 800-1200 | |||
(B6C)2x-xxx-xxxFF | 1500-2000 | ||||
Высоковольтные сборки серии HV | |||||
Воздушный | HVx-xxx-xxxFx | 50-500 | 3000-30000 | ||
Водяной | HVx-xxx-xxxSx | 50-1000 | 3000-8000 | ||
Серия М6 | |||||
Метод охлаждения | Тип устройства | Тип прибора | Диапазон выходных токов для приборов типа «двойной звезды» Id, А | Диапазон напряжений, В | |
с балансной катушкой | без балансной катушки | ||||
Воздушный | Модульный | М6х-ххх-хххFA | 150-350 | 130-300 | 100–2000 |
М6х-ххх-хххFB | 450-600 | 350-500 | |||
М6х-ххх-хххFС | 800-1200 | 600-800 | |||
Капсульный | М6х-ххх-хххFD | 1500-2500 | 1200-2000 | ||
М6х-ххх-хххFE | 3000-4000 | 2500-3400 | |||
М6х-ххх-хххFF | 5000-6000 | 4000-5000 | |||
М6х-ххх-хххFG | 1500-1800 | 1000-1500 | |||
Водяной | М6х-ххх-xxxSА(В/С/D/Е) | 500-8000 | 400-5000 | ||
Переключатели серии W | |||||
Метод охлаждения | Тип устройства | Тип прибора | Диапазон выходных токов IRMS, А | Диапазон напряжений, В | |
Воздушный | Модульный | W1C-xxx-xxxFA | 90-150 | 100–2000 | |
W1C-xxx-xxxFB | 200-250 | ||||
W1C-xxx-xxxFC | 300 | ||||
Капсульный | W1C-xxx-xxxFD | 400-800 | |||
W1C-xxx-xxxFE | 1000-1200 | ||||
W1C-xxx-xxxFF | 1500-1800 | ||||
Водяной | Капсульный | W1C-xxx-xxxSA(B/C/D/E) | 600-2500 | ||
W1C-xxx-xxxSI(J/K) | 800-1200 | ||||
W1C-xxx-xxxSL | 800 | ||||
Воздушный | Модульный | W3C-xxx-xxxFB | 90-150 | ||
W3C-xxx-xxxFC | 200-250 | ||||
W3C-xxx-xxxFD | 300 | ||||
Капсульный | W3C-xxx-xxxFE | 400-800 | |||
W3C-xxx-xxxFA | 1000-1200 | ||||
W3C-xxx-xxxFF | 1500-1800 |
Радиаторы
TECHSEM выпускает широкий ассортимент радиаторов как с воздушным, так и с водяным охлаждением. В таблице 7 в качестве примера представлены некоторые из них.
Метод охлаждения | Тип радиатора | Внешний вид радиатора | Тип радиатора | Внешний вид радиатора |
Водяной | SS11 |
![]() |
RSS51 |
![]() |
SS12 | ||||
SS13 | ||||
SS14 | ||||
SS15 | ||||
SS16 | ||||
SS17 | ||||
SS11BL |
![]() |
RSS61 |
![]() |
|
SS12BL | ||||
SS13BL | ||||
SS14BL | ||||
SS15BL | ||||
SS16BL | ||||
SS17BL | ||||
RSS11 |
![]() |
DSS3 |
![]() |
|
RSS21 | DSS5 | |||
RSS41 | DSS8 | |||
RSS31 |
![]() |
HSS3 |
![]() |
|
Воздушный | SF12 |
![]() |
Wxx |
![]() |
SF13 | ||||
SF14 | ||||
SF15 | ||||
SF16 | ||||
SF17 |
- www .tech-sem.com
- Technical Information Techsem Capsule Device
- Technical Information Techsem Module
- www .ic-contract.ru/services/lines/item/661-tech-semiconductors-co-ltd-techsem.html
Тиристоры
KP 2500A 2000V Y76KPNOT 64 шт
KK18-35B 50 шт
прошу кп