Выбор и использование полевых транзисторов компании STMicroelectronics для импульсных источников питания

В статье описаны критерии и особенности выбора полевых транзисторов с учетом особенностей их применения на примере MOSFET компании STMicroelectronics.

Комплект полупроводниковых дискретных приборов и ИМС для интеллектуальных силовых модулей управления электроприводами

В статье приведено краткое описание конструкции и технических характеристик простого интеллектуального силового модуля управления электроприводом, разработанного на базе комплекта полупроводниковых дискретных приборов и ИМС компании «Микроника» для кондиционеров и другой бытовой техники.

Бездиффузионная технология изготовления диодов Шоттки

По сравнению с обычными диодами с p-n-переходом диоды Шоттки имеют высокие значения обратного тока, особенно при повышенной рабочей температуре. «Виноваты» в этом как конструктивные особенности устройств, так и структурные дефекты в выпрямляющем контакте металл–полупроводник, образующиеся в процессе высокотемпературных технологических операций при их изготовлении. Очевидно, что уменьшение числа...

Конструктивно-технологическое усовершенствование Trench-диодов Шоттки

В статье рассмотрены некоторые усовершенствования конструкции и технологии Trench-диодов Шоттки, позволяющие упростить технологический процесс, исключив одну фотолитографию, и достигнуть увеличения обратного пробивного напряжения.

Применение субмикронной технологии — путь к созданию высокоэффективных силовых диодов Шоттки

В преобразователях напряжения важная роль отводится силовым диодам Шоттки. Но если силовые транзисторы и микросхемы постоянно находятся в поле зрения разработчиков полупроводниковых приборов, то технологическому и конструктивному развитию силовых диодов не уделяется должного внимания. Ведущие фирмы не занимаются созданием новых версий силовых диодов, считая эти приборы коммерчески невыгодными. ...