Параметры и характеристики IGBT-модулей на напряжение 1200 В при низких температурах

В статье представлены результаты исследований параметров и характеристик IGBT-модулей производства ПАО «Электровыпрямитель» на напряжение 1200 В при отрицательных температурах, даны рекомендации по эксплуатации приборов в условиях воздействия низких температур.

Параметры и характеристики планарных NPT+IGBT с повышенной инжекцией на напряжение 1700 В

В статье представлены результаты разработки отечественных кристаллов NPT+ IGBT с рабочей площадью 185 мм2 на ток 100 А и напряжение 1700 В для применения в силовых модулях с коммутируемой мощностью 0,15–4 МВт. Приведены параметры и характеристики единичных кристаллов IGBT, измеренных с учетом реальных условий эксплуатации в инверторах напряжения на индуктивную нагрузку. Дается сравнение с заруб...

Исследования параметров и характеристик SIC-диодов Шоттки в гибридных IGBT-модулях ОАО «Электровыпрямитель»

Представлены результаты исследований параметров и характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки на напряжение 1200 В, используемых в гибридных IGBT-модулях в качестве оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD), а также в линейке высокочастотных SiC-диодных модулей.