Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей.
Часть 3. Влияние параметров цепи управления на коммутационные характеристики

Продолжение цикла публикаций [1, 2], в которых рассматриваются особенности эксплуатации IGBT-модулей производства ПАО «Электровыпрямитель». В новой части описаны результаты исследований зависимостей динамических характеристик IGBT-модулей на напряжение 3300 В от параметров цепи управления. Представлен анализ особенностей эксплуатации высоковольтных IGBT-модулей и даны рекомендации по оптимизаци...

Высоковольтный полупроводниковый ключ на основе реверсивно-включаемого динистора с обратной проводимостью для коммутации мощных двуполярных импульсов тока

В статье представлена новая версия реверсивно-включаемого динистора (РВД), оптимизированного для коммутации мощных двуполярных импульсов тока. Описывается концепция РВД с обратной проводимостью (РВДД), основанная на введении в кремниевую структуру динистора определенного количества интегрированных инверсных диодов, равномерно расположенных с заданной периодичностью по всей рабочей площади прибо...

Силовые блоки на основе тиристоров и фототиристоров для промышленных применений

В статье представлены последние результаты разработок в области силовых блоков на основе отечественных биполярных полупроводниковых приборов. Рассмотрены примеры конструирования блоков выпрямителей и ключей переменного тока большой мощности, ориентированных на требования потребителей.

Высокоэффективные жидкостные охладители для изделий силовой электроники

В статье представлены новые изделия в области разработки высокоэффективных жидкостных охладителей для приборов и модулей силовой электроники. Приведены методы моделирования, применяемые при конструировании новых охладителей, особенности технологии изготовления и результаты исследований их характеристик.

Исследование параметров и характеристик обогащенно-планарных IGBT с малыми потерями на напряжение 1200 В

В статье представлены результаты исследований высоконадежных IGBT модулей ОАО «Электровыпрямитель» на напряжение 1200 В на основе новых российских кристаллов IGBT и FRD, технология производства которых осваивается сегодня лидером отечественной микроэлектроники ОАО «Ангстрем».

Исследования диодов с быстрым восстановлением в ключевых схемах IGBT-модулей на напряжение 1200 В

В статье представлены результаты исследований параметров и характеристик быстровосстанавливающихся диодов (FRD) на напряжение 1200 В, используемых в IGBT-модулях в качестве защитных оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD) при работе на индуктивную нагрузку. Измерения проводились на образцах от трех производителей, отличающихся структурой полупроводникового кристалла и технологией изготовле...

Управление частотными свойствами IGBT на напряжение 1200В с использованием электронного облучения

Представлены результаты экспериментальных исследований возможности управления частотными свойствами IGBT на напряжение 1200 В с инжекционным обогащением производства российских компаний ОАО «Ангстрем» и ОАО «Электровыпрямитель». Показано, что с помощью облучения кристаллов IGBT высокоэнергетичными электронами можно существенно улучшить динамические параметры отечественных IGBT-модулей, расширит...

Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей.
Часть 2. Еще раз о высокой частоте и малых токах

В статье представлены результаты анализа особенностей эксплуатации и причин выходов из строя IGBT-модулей при высоких частотах коммутации.

Параметры и характеристики IGBT-модулей на напряжение 1200 В при низких температурах

В статье представлены результаты исследований параметров и характеристик IGBT-модулей производства ПАО «Электровыпрямитель» на напряжение 1200 В при отрицательных температурах, даны рекомендации по эксплуатации приборов в условиях воздействия низких температур.

Параметры и характеристики планарных NPT+IGBT с повышенной инжекцией на напряжение 1700 В

В статье представлены результаты разработки отечественных кристаллов NPT+ IGBT с рабочей площадью 185 мм2 на ток 100 А и напряжение 1700 В для применения в силовых модулях с коммутируемой мощностью 0,15–4 МВт. Приведены параметры и характеристики единичных кристаллов IGBT, измеренных с учетом реальных условий эксплуатации в инверторах напряжения на индуктивную нагрузку. Дается сравнение с заруб...