РВД-ключи для мощных твердотельных энергетических систем

В статье представлены результаты разработки полупроводниковых ключей на импульсные токи до 300 кА, напряжение до 25 кВ на основе реверсивно-включаемых динисторов для мощных твердотельных энергетических систем. Дано описание конструкции и особенности работы реверсивно-включаемых динисторов в типовой схеме коммутирующего устройства, их основные параметры и характеристики. Представлены также вспом...

Силовые блоки на основе мощных фототиристоров

Статья продолжает цикл публикаций, посвященных силовым блокам на основе отечественных фототиристоров [1]. Представлены результаты разработок и примеры конструирования высоковольтных коммутаторов тока для импульсных применений.

Прямое жидкостное охлаждение силовых модулей

Вопрос охлаждения любого полупроводникового устройства является одним из наиболее важных для обеспечения его надежной эксплуатации. Он актуален для всех полупроводниковых изделий, начиная от дискретных компонентов и маломощных микросхем с милливаттными тепловыми потерями и заканчивая силовыми полупроводниковыми приборами, от которых необходимо отводить до нескольких киловатт мощности потерь. В ...

12-кВ твердотельный ключ с ультравысокими скоростями нарастания тока и высокой плотностью мощности для работы в микросекундном диапазоне

В статье представлены результаты разработки 12-кВ ключа на основе реверсивно-включаемых динисторов с обратной проводимостью c блоком управления для коммутации импульсов тока амплитудой до 100 кА длительностью 20 мкс со скоростью нарастания прямого тока свыше 25 кА/мкс. Ключ разработан в концепции мультисборки коаксиальной конструкции для достижения минимальных размеров, низкой индуктивности, бе...

Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей.
Часть 3. Влияние параметров цепи управления на коммутационные характеристики

Продолжение цикла публикаций [1, 2], в которых рассматриваются особенности эксплуатации IGBT-модулей производства ПАО «Электровыпрямитель». В новой части описаны результаты исследований зависимостей динамических характеристик IGBT-модулей на напряжение 3300 В от параметров цепи управления. Представлен анализ особенностей эксплуатации высоковольтных IGBT-модулей и даны рекомендации по оптимизаци...

Высоковольтный полупроводниковый ключ на основе реверсивно-включаемого динистора с обратной проводимостью для коммутации мощных двуполярных импульсов тока

В статье представлена новая версия реверсивно-включаемого динистора (РВД), оптимизированного для коммутации мощных двуполярных импульсов тока. Описывается концепция РВД с обратной проводимостью (РВДД), основанная на введении в кремниевую структуру динистора определенного количества интегрированных инверсных диодов, равномерно расположенных с заданной периодичностью по всей рабочей площади прибо...

Силовые блоки на основе тиристоров и фототиристоров для промышленных применений

В статье представлены последние результаты разработок в области силовых блоков на основе отечественных биполярных полупроводниковых приборов. Рассмотрены примеры конструирования блоков выпрямителей и ключей переменного тока большой мощности, ориентированных на требования потребителей.

Высокоэффективные жидкостные охладители для изделий силовой электроники

В статье представлены новые изделия в области разработки высокоэффективных жидкостных охладителей для приборов и модулей силовой электроники. Приведены методы моделирования, применяемые при конструировании новых охладителей, особенности технологии изготовления и результаты исследований их характеристик.

Исследование параметров и характеристик обогащенно-планарных IGBT с малыми потерями на напряжение 1200 В

В статье представлены результаты исследований высоконадежных IGBT модулей ОАО «Электровыпрямитель» на напряжение 1200 В на основе новых российских кристаллов IGBT и FRD, технология производства которых осваивается сегодня лидером отечественной микроэлектроники ОАО «Ангстрем».

Исследования диодов с быстрым восстановлением в ключевых схемах IGBT-модулей на напряжение 1200 В

В статье представлены результаты исследований параметров и характеристик быстровосстанавливающихся диодов (FRD) на напряжение 1200 В, используемых в IGBT-модулях в качестве защитных оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD) при работе на индуктивную нагрузку. Измерения проводились на образцах от трех производителей, отличающихся структурой полупроводникового кристалла и технологией изготовле...