Реклама

Применение технологии синтеринга для снижения потока отказов при эксплуатации мощных тиристоров
В статье обсуждается возможность снижения деградационных и ранних отказов силовых полупроводниковых тиристоров с диаметром полупроводникового кристалла 80 мм и более за счет применения технологии низкотемпературного спекания кремниевых элементов и молибденовых термокомпенсаторов. Исследованы сравнительные зависимости параметров VTO/rT, Rthjc, ITAV, ITSM от усилия сжатия для вариантов синтеринг/...

15.10.2020 | Тиристоры, Технологии
Метки:
Оставить комментарий

Бескорпусные сварочные диоды с повышенной стойкостью к электротермоциклированию
Компания «Протон-Электротекс» расширяет номенклатуру сварочных диодов в таблеточном исполнении, применяемых в аппаратах контактной сварки. Статья знакомит читателя с техническими характеристиками и особенностями применения этих диодов.

15.05.2012 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Моделирование зависимости ударного тока от длительности и числа импульсов прямого тока, протекающего через силовой полупроводниковый прибор
В статье приводятся аналитические выражения, описывающие зависимость ударного тока от длительности и числа импульсов прямого тока, протекающего через силовой полупроводниковый прибор. Путем сравнения теоретических расчетов с результатами компьютерного моделирования проверена адекватность полученных выражений.

06.09.2011 | Технологии
Оставить комментарий

Моделирование частотных характеристик силовых полупроводниковых приборов
В статье изложены физические основы расчета потерь и средней их мощности в силовых полупроводниковых диодах и тиристорах при прохождении через них синусоидальных импульсов тока. Описана разработанная математическая модель, позволяющая строить частотные зависимости амплитуды этих импульсов в стационарных условиях работы приборов. На примере СПП ДЛ343-630-34 и МТ3-500 проведен сравнительный анали...

06.09.2011 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Коммутационные параметры силовых полупроводниковых приборов, характеризующие их переключение из проводящего в непроводящее состояние
Рассмотрены коммутационные параметры, характеризующие переключение силовых полупроводниковых приборов из проводящего состояния в непроводящее (их выключение) под действием импульса обратного напряжения. Предложена математическая модель, описывающая зависимость этих параметров от силы прямого тока и скорости его спада перед выключением. Описаны разработанные на основе экспериментальных данных ал...

28.03.2011 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Моделирование нестационарных тепловых процессов и расчет допустимых токов перегрузки силовых полупроводниковых приборов
В статье изложены физические основы численного моделирования нестационарных тепловых процессов в структурах силовых полупроводниковых приборов. Приведен алгоритм численного расчета допустимых токов перегрузки. Представлены результаты моделирования тепловых процессов при работе тиристора Т243-500 и диода ДЛ343-630-34.

18.02.2011 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Моделирование температурной зависимости вольт-амперной характеристики силовых полупроводниковых приборов
Получены аналитические выражения, описывающие температурную зависимость прямой и обратной ветви вольт-амперной характеристики силовых полупроводниковых приборов. Путем сравнения теоретических расчетов с экспериментальными данными проверена адекватность полученных выражений.

26.01.2011 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2024 Силовая электроника