Силовые блоки на основе мощных фототиристоров

Статья продолжает цикл публикаций, посвященных силовым блокам на основе отечественных фототиристоров [1]. Представлены результаты разработок и примеры конструирования высоковольтных коммутаторов тока для импульсных применений.

12-кВ твердотельный ключ с ультравысокими скоростями нарастания тока и высокой плотностью мощности для работы в микросекундном диапазоне

В статье представлены результаты разработки 12-кВ ключа на основе реверсивно-включаемых динисторов с обратной проводимостью c блоком управления для коммутации импульсов тока амплитудой до 100 кА длительностью 20 мкс со скоростью нарастания прямого тока свыше 25 кА/мкс. Ключ разработан в концепции мультисборки коаксиальной конструкции для достижения минимальных размеров, низкой индуктивности, бе...

Высоковольтный полупроводниковый ключ на основе реверсивно-включаемого динистора с обратной проводимостью для коммутации мощных двуполярных импульсов тока

В статье представлена новая версия реверсивно-включаемого динистора (РВД), оптимизированного для коммутации мощных двуполярных импульсов тока. Описывается концепция РВД с обратной проводимостью (РВДД), основанная на введении в кремниевую структуру динистора определенного количества интегрированных инверсных диодов, равномерно расположенных с заданной периодичностью по всей рабочей площади прибо...

Мощные тиристоры для преобразователей линий электропередачи постоянного тока

Представлены результаты исследования современной элементной базы отечественной силовой электроники для высоковольтных тиристорных вентилей для линий электропередачи постоянного тока. Приведены характеристики мощных высоковольтных тиристоров Т283-1600 нового поколения с повышенной надежностью. Выполнены исследования тиристоров в режимах их эксплуатации в составе блока вентилей модернизируемого п...

Исследования мощных фототиристоров в предельных импульсных режимах работы

В статье представлены результаты исследований мощных тиристоров с прямым управлением светом в предельных режимах работы высоковольтных коммутаторов больших импульсных токов, значительно превышающих рабочий режим. Исследовались четырехдюймовые 4,5-кВ импульсные фототиристоры, предназначенные для 100-кА/12-кВ разрядных ключей емкостных накопителей электрической энергии с временами разрядного проц...

Мощные тиристоры с прямым управлением светом и лазерные волоконно-оптические модули управления для высоковольтных применений

Представлены результаты разработки серии высоковольтных тиристоров, управляемых светом (фототиристоров) и лазерных волоконно-оптических модулей (ВОМ) для высоковольтной передачи постоянного тока, статических компенсаторов энергии, преобразователей высоковольтных электроприводов, импульсной техники.

Характеристики переключения мощных фототиристоров с новыми волоконно-оптическими модулями управления

В статье представлены характеристики включения новых мощных высоковольтных фототиристоров и информация об оптических драйверах управления, предназначенных для использования в различных силовых схемах, в том числе — выпрямителях, инверторах, ключах переменного тока, импульсных коммутаторах тока.

Исследование параметров и характеристик обогащенно-планарных IGBT с малыми потерями на напряжение 1200 В

В статье представлены результаты исследований высоконадежных IGBT модулей ОАО «Электровыпрямитель» на напряжение 1200 В на основе новых российских кристаллов IGBT и FRD, технология производства которых осваивается сегодня лидером отечественной микроэлектроники ОАО «Ангстрем».

Исследования диодов с быстрым восстановлением в ключевых схемах IGBT-модулей на напряжение 1200 В

В статье представлены результаты исследований параметров и характеристик быстровосстанавливающихся диодов (FRD) на напряжение 1200 В, используемых в IGBT-модулях в качестве защитных оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD) при работе на индуктивную нагрузку. Измерения проводились на образцах от трех производителей, отличающихся структурой полупроводникового кристалла и технологией изготовле...

Управление частотными свойствами IGBT на напряжение 1200В с использованием электронного облучения

Представлены результаты экспериментальных исследований возможности управления частотными свойствами IGBT на напряжение 1200 В с инжекционным обогащением производства российских компаний ОАО «Ангстрем» и ОАО «Электровыпрямитель». Показано, что с помощью облучения кристаллов IGBT высокоэнергетичными электронами можно существенно улучшить динамические параметры отечественных IGBT-модулей, расширит...