Реклама

  • Баннер протон-импульса за март 25

Teledyne LeCroy MDA800 — новейший осциллограф/анализатор мощности электродвигателей и приводов
Компания Teledyne LeCroy, Inc. (США), известный разработчик осциллографов, недавно выпустившая первый в мире 100-ГГц осциллограф реального времени, продолжает радовать пользователей своими новинками. Так, 10 февраля 2015 г. она анонсировала выпуск и начало поставок очередного новейшего продукта из серии осциллографов высокой четкости. Это анализатор мощности широко распространенных электродвига...

20.01.2020 | Электроприводы, Измерительные приборы
Метки:
Оставить комментарий

Макромоделирование устройств на мощных MOSFET в SimPowerSystems
Мощные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) в настоящее время стали основным типом силовых транзисторов. В статье описаны средства макромоделирования силовых устройств на мощных MOSFET с помощью новейших реализаций матричной лаборатории MATLAB R2010a,b с обновленными пакетами расширения Simulink и SimPowerSystem.

27.04.2012 | Софт
Метки:
Оставить комментарий

Побистор или IGBT и имитационное моделирование устройств на них
Первый прибор класса IGBT был создан в СССР еще в 1977 г. и назван побистором. На него было получено авторское свидетельство СССР на изобретение с запретом опубликования в открытой печати. В последующем приборы этого класса стали массовыми изделиями, вместе с мощными полевыми транзисторами существенно потеснившими на рынке мощные биполярные транзисторы и тиристоры, и были признаны перспективным...

06.09.2011 | Компоненты силовой электроники
Метки:
Оставить комментарий

Мощные полевые транзисторы:
история, развитие и перспективы.
Аналитический обзор
Развитие мощных полевых транзисторов носит беспрецедентный характер. С 70-х годов, когда в СССР были созданы, детально изучены и запущены в серию первые в мире мощные полевые транзисторы, эти приборы превратились из маломощных «недоносков» с высоким входным сопротивлением, во всем остальном уступающих биполярным транзисторам, в мощные приборы с уникально малым (до 0,001 Ом) сопротивлением во вк...

17.05.2011 | Компоненты силовой электроники, Транзисторы, MOSFET
Оставить комментарий

Макромоделирование устройств на мощных MOSFET в SimPowerSystems
Мощные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) в настоящее время стали основным типом силовых транзисторов. В статье описаны средства макромоделирования силовых устройств на мощных MOSFET с помощью новейших реализаций матричной лаборатории MATLAB R2010a,b с обновленными пакетами расширения Simulink и SimPowerSystem.

28.03.2011 | Софт
Оставить комментарий

Многовариантное моделирование силовых устройств в MATLAB+Simulink
В настоящее время разработчики силовых устройств могут строить их на различных компонентах, например диодах, биполярных и полевых транзисторах, тиристорах (обычных и запираемых GTO), биполярных транзисторах с полевым управлением — побисторах и IGBT, силовых модулях и т. д. При этом часто возникает необходимость исследования, тестирования и сравнения различных вариантов силовых устройств, которы...

18.02.2011 | Софт, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2025 Силовая электроника