SCALE-iDriver — семейство гальванически изолированных драйверов IGBT в микросхемном корпусе

В статье рассматривается новое семейство одноканальных драйверов IGBT SCALE-iDriver — первых представителей драйверов, выполненных по усовершенствованной технологии SCALE-2+, и не в традиционном для производителя модульном исполнении, а в виде интегральных схем. При этом данные устройства имеют усиленную гальваническую изоляцию (SID11x2K на 1200 В), версию с рабочим напряжением на 1700 В (SID11...

Драйверы IGBT на основе SCALE 2+ с защитными функциями мягкого выключения и активного ограничения

В статье рассмотрены характеристики нового двухканального драйвера Power Integrations, выполненного на основе усовершенствованного набора микросхем SCALE 2+. Ультракомпактное двухканальное ядро драйвера 2SC0115T предназначено для построения инверторов и преобразователей мощностью 90–500 кВт. Драйвер имеет усиленную электрическую изоляцию и поддерживает IGBT 1200 В с током до 1400 А. Новой защит...

Управление параллельным соединением IGBT-модулей. Драйверы Plug&Play CT-Concept

В статье рассмотрены особенности управления высоковольтными IGBT-модулями при их параллельном включении с использованием новых драйверов на базе принципа Master-Slave. Описаны требования к драйверам для управления параллельным соединения IGBT модулей.

IGBT-драйверы InPower Systems с программно-управляемыми характеристиками

В статье приводится обзор нового семейства интеллектуальных драйверов IGBT компании InPower, а также обсуждаются преимущества цифровой технологии для управления модулями IGBT большой мощности.

Базовые платы драйверов IGBT от CT-Concept

В статье описывается новая концепция швейцарской компании CT-Concept Technologie AG — две базовые платы 2BB0108T и 2BB0435T, предназначенные для ускорения разработки драйверов IGBT-модулей и силовых MOSFET. Платы представляют собой «конструктор» двухканального драйвера IGBT, выполненный на основе недорогого ядра нового поколения SCALE-2. Для подключения такого драйвера к силовому модулю достато...

Использование встроенного NTC-резистора для измерения температуры IGBT-модулей

В статье описаны особенности использования встроенного в силовой модуль терморезистора с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (NTC-резистора) для измерения температуры; рассмотрены аспекты изоляции измерительной цепи от высокого напряжения, связь сопротивления NTC с температурой перехода кристаллов IGBT; приведены примеры практической реализации схемы измерений.

Драйверы CT-Concept для силовых IGBT- и MOSFET-модулей на базе нового ядра SCALE-2

В статье дан краткий обзор драйверов для управления силовыми IGBT/MOSFET-модулями. Подробно описаны устройства серий SCALE и SCALE-2, выпускаемые компанией CT-Concept. Рассмотрены особенности нового драйверного ядра, построенного на наборе микросхем SCALE-2. Приведены основные характеристики и пример использования драйверов SCALE-2 для правления параллельным соединением IGBT-модулей.

Тиристоры с оптическим управлением для импульсной энергетики

Для построения импульсных энергетических установок необходимы твердотельные коммутаторы. Для этих целей наиболее предпочтительно использование фототиристоров (ФТ) — ввиду простоты их последовательного включения и надежного способа оптического управления запуском. Более того, современные ФТ, рассмотренные в данной статье, предусматривают интеграцию в них таких защитных функций, как, например, за...

Микросхемы Primarion для цифрового управления мощностью

Рассмотрены особенности цифровых контроллеров и сопутствующих микросхем для построения высокостабильных DC/DC преобразователей напряжения, размещаемых на печатной плате непосредственно у низковольтных нагрузок (0,8…5–15 В), потребляющих токи до 200 А. Приведен обзор компонентов для цифрового управления мощностью, выпускаемых фирмой Primarion, включенной в 2008 году в состав Infineon Technologies.

Силовые IGBT-модули Infineon Technologies

IGBT силовые модули — традиционные компоненты силовой электроники, которые широко используются во всех отраслях промышленности и бытовой техники. Основные мировые производители этих полупроводниковых компонентов — это ABB, Mitsubishi, Semikron, Infineon Technologies [1]. При этом ABB, Mitsubishi и Infineon производят также и полупроводниковые IGBT и диодные кристаллы для изготовления модулей. В...