В настоящее время в силовой электронике высокие требования предъявляются как к надежности оборудования, так и к его энергетической эффективности. В связи с этим все более популярными становятся силовые модули IGBT, MOSFET и диодные силовые модули.
В последнее время в мире активно развивается направление разработки и производства импульсных источников питания на мощных интегральных микросхемах. Мощность данных источников питания варьируется от сотен милливатт до сотен ватт. Специалисты фирмы Power Integrations (PI) разработали целый ряд семейств таких микросхем. Это дает возможность строить импульсные источники питания с входным питающим напряжением в диапазоне от 16 до 400 В. Преимущества микросхем фирмы PI заключаются в следующем:
Устраняют до 50 внешних дискретных компонентов, чем существенно снижают стоимость системы.
Содержат ...