Пополнение в ряду быстродействующих частотно-импульсных тиристоров

  ОАО «Электровыпрямитель» анонсирует новые высокомощные частотно-импульсные тиристоры (ТБИ) 183-й и 193-й серий для высокочастотных применений, которые освоены в производстве и изготавливаются по четырехдюймовой технологии. Данные приборы расширяют конструктивный ряд быстродействующих тиристоров в сторону больших мощностей. Тиристоры ТБИ193-2500 рассчитаны на средний ток 2500 А и повторяющее напряжение 3000 В. Расширенная линейка тиристоров серии ТБИ183 содержит модели на 2500 А/2400 В и 3200 А/1600 В. Разработанные тиристоры являются на сегодняшний день самыми мощными из всех ...

Новые 650-В SiC-диоды Шоттки от Cree

  Компания Cree анонсирует новую линейку Z-Rec диодов Шоттки (JBS). Новые JBS-диоды обеспечивают блокирующее напряжение до 650 В, что удовлетворяет недавним изменениями силовой архитектуры центров обработки данных, которые, по оценкам экспертов, позволят повысить энергоэффективность до 5%. Поскольку подобные центры потребляют до 10% производимой энергии, любой выигрыш в эффективности является важным для снижения энергопотребления. Стандартные импульсные источники питания, как правило, рассчитаны на входное напряжение 90–264 В, что позволяет поддерживать различные мировые стандарты ...

Новый Z-FET карбидокремниевый MOSFET от Cree

  Компания Cree расширила номенклатуру продукции первым промышленным семейством Z-FET слаботочных 1200-В SiC MOSFET. Новые транзисторы дополняют линейку существующих SiC MOSFET 12-го класса и отличаются меньшим диапазоном токов. Это позволяет расширить область применений устройств при снижении цены и обеспечить таким образом оптимизацию стоимости системы. Новые приборы разработаны для замены кремниевых IGBT, которые используются в настоящее время для производства инверторов мощностью 3–10 кВт. Возможные применения — высоковольтные источники питания и вспомогательные силовые устройства, ...

Мощный SiC MOSFET от Cree с блокирующим напряжением 1200 В

  Компания Cree представила первый промышленный коммерческий карбидокремниевый MOSFET. Это событие является новой вехой в производстве импульсных силовых ключей, позволяя разработчикам проектировать высоковольтные схемы, отличающиеся экстремально высокими скоростями и сверхнизкими потерями переключения. Пополнение знаменитого семейства карбидокремниевых диодов Шоттки транзисторами SiC MOSFET от Cree позволяет разработчикам проектировать системы all-SiC, эффективно работающие на предельно высоких частотах и при этом имеющие минимальные габариты и вес, что недоступно при использовании ...

Первый промышленный 1200-В карбидокремниевый диод Шоттки в корпусе для поверхностного монтажа

  Компания Cree анонсирует первый коммерческий 1200-В диод Шоттки на основе карбида кремния (SiC) — C2D05120E. Установленный в стандартный SMD-корпус TO-252 D-Pak, он обеспечивает те же преимущества, что и известный диод от Cree в корпусе TO-220, при этом имеет меньший размер основания и толщину. Это позволяет разрабатывать компактные, дешевые и высокоэффективные инверторы для солнечной энергетики, имеющие лучшие массогабаритные показатели, чем устройства, использующие дискретные корпуса с выводами для сквозного монтажа. Диоды C2D05120E компании Cree имеют номинальный ток 5 A при ...

Новое реле защиты по напряжению производства ЗАО «Протон-Импульс»

  Предприятие ЗАО «Протон-Импульс» (г.Орел), специализирующееся на выпуске электронных компонентов и устройств, светодиодных индикаторных и осветительных ламп и светильников, разработало новое реле напряжения сети (РНС-1), предназначенное для защитного отключения электрооборудования, в частности электродвигателей компрессоров холодильных и других агрегатов, при выходе напряжения питающей сети за заданные пределы. Принцип действия данного устройства заключается в том, что если напряжение питания выходит за допустимые пределы (187–252 В) в течение 1 с, то прибор отключает нагрузку и, при ...

DC/DC-преобразователи HZ (Zeta) группы Mil-Qor в конструктивном формате half-brick

  Компания SynQor объявила о начале производства моделей HZ (Zeta) группы Mil-Qor DC/DC-преобразователей c выходной мощностью до 600 Вт для применения в изделиях двойного назначения с жесткими требованиями по массогабаритным показателям. Устройства рассчитаны на три диапазона входного напряжения: 16–40, 9–40 и 9–70 В (серии 28, 28V и 28VE соответственно). Основные характеристики моделей HZ: выходное напряжение 5, 12, 15, 24, 28, 40 и 50 В; КПД 95%; регулировка выходного напряжения –50+10%; защита от перенапряжения, перегрузок и перегрева; диапазон рабочих температур ...

Драйвер IGBT/MOSFET с оптической развязкой от компании Clare

  Компания Clare (корпорация IXYS) начала производство драйверов серии IX3120 для IGBT/MOSFET-транзисторов с оптической развязкой вход/выход. Выходной каскад рассчитан на большие пиковые токи — до 2,5 А и имеет высокую помехозащищенность (минимум 25 кВ/мкс, CMR). Это позволяет применять драйверы для управления IGBT/MOSFET-транзисторами средней мощности в схемах управления электродвигателями, промышленных инверторах (например, в электросварочных аппаратах), импульсных источниках питания и др. На входе оптрона драйвера применен светодиод инфракрасного диапазона с малым прямым падением ...

Высокоэффективные 40- и 60-Вт светодиодные источники питания от Mean Well

  Компания «АВИТОН» сообщает о выпуске новых серий светодиодных источников питания (ИП) с высоким КПД — HLG-40H/60H. Серии HLG-40H (40 Вт) и HLG-60H (60 Вт) имеют четыре различных исполнения с разными возможностями подстройки выходных параметров. В основном исполнении (маркировка «–») отсутствует возможность изменения выходных параметров. Исполнение «A» позволяет подстраивать выходной ток и выходное напряжение при помощи встроенных потенциометров, доступ к которым осуществляется без разборки корпуса при снятии резиновых заглушек. В исполнении «B» есть вход управления выходным током, ...

Наномодули питания и наностабилизаторы напряжения серии SIMPLE SWITCHER компании TI

  Компания Texas Instruments, Inc. (TI) представила четыре новые интегральные схемы управления питанием семейства SIMPLE SWITCHER для компактных преобразователей Point-of-Load промышленного, телекоммуникационного и автомобильного назначения. Наномодули питания компании National Semiconductor LMZ10501 с током нагрузки до 1 А и LMZ10500 с током до 650 мА с внутренней катушкой индуктивности на одном кристалле, а также наностабилизаторы LMR24220 и LMR24210 с рабочим током 2 и 1 А соответственно отличаются высокой производительностью и компактными нанокорпусами размером 7,5 мм2. ...