Обновленный SiC MOSFET-транзистор 1700 В поколения Gen2 от AMG Power

Компания AMG Power выпустила обновленную версию SiC MOSFET поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением –5/+18 В — A2G100N1700MT4.

В связи со спросом на рынке на транзисторы SiC MOSFET со значением VGS –5/+18 В, AMG Power приняла решение о перевыпуске транзистора A2G100N1700MT4 в обновленной версии.

Основные параметры A2G100N1700MT4:

• напряжение сток-исток: 1700 В;
• ток (при +25 °C): 100 A;
• Rds(On): 25 мОм;
• управляющее напряжение затвор-исток: –5/+18 В;
• тип корпуса: TO-247-4;
• суммарный заряд затвора: 168 нКл;
• максимальная температура перехода: +175 °C;
• выходная емкость: 198 пФ;
• рассеиваемая мощность: 484 Вт.

Применение A2G100N1700MT4:

• тяговые преобразователи электромобилей;
• высоковольтные DC/DC-преобразователи;
• импульсные источники питания;
• инверторы солнечных батарей;
• зарядные устройства электромобилей.

Преимущества транзистора A2G100N1700MT4:

• повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость;
• позволяет работать на высокой частоте переключения;
• улучшает плотность мощности на уровне системы;
• уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение;
• простота параллельного соединения и управления.

По сообщению https://electrade.ru/