IGBT до 1200 В и до 75 А от Yangjie Technology
Компания Yangjie Technology (Китай) анонсировала выпуск IGBT в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер 600–1200 В и диапазоном токов 10–75 А.
Основные сферы применения транзисторов:
- приборы высокочастотной коммутации;
- резонансные преобразователи;
- источники бесперебойного питания;
- сварочные преобразователи.