Новая серия отечественных DMOSFET силовых транзисторов

ОАО ОКБ “Искра” совместно с ОАО Ангстрем в период с мая 2007 г. по сентябрь 2008 г. выполнили ОКР по разработке ряда мощных n-канальных DMOSFET силовых транзисторов с напряжениями 30–1200 В и токами 10–80 А. По результатам ОКР разработано свыше 30 типономиналов силовых транзисторов в корпусном и бескорпусном исполнении.

Trench 4 — универсальная технология IGBT. Стратегия перехода

Использование новых типов кристаллов IGBT в стандартных конструктивах дает возможность увеличить техническую эффективность и мощностные характеристики силовых преобразовательных устройств без изменения их конструкции. Основной задачей, поставленной при разработке 4_го поколения Trench IGBT, стало комплексное улучшение параметров проводимости, динамических характеристик IGBT и обеспечение более ...

Новые стандартные и стерилизуемые бесколлекторные двигатели

Новые стандартные и стерилизуемые бесколлекторные двигатели от maxon motor.

Монтаж кристаллов IGBT силовых транзисторов

Исследованы способы монтажа IGBT силовых транзисторов средней мощности пайкой легкоплавкими припоями и показано их влияние на тепловое сопротивление перехода кристалл – корпус, структуру соединений и параметры IGBT силовых транзисторов.

Исследование технологических факторов процесса термомиграции

Термомиграция, или зонная перекристаллизация градиентом температуры — способ, позволяющий создавать в течение сравнительно короткого времени сильно легированные подложечные р+-слои и локальные сквозные р+-области в объеме полупроводникового материала.

Aморфные металлические материалы

Аморфные металлические материалы представляют одну из последних инноваций XX века. По сравнению с кристаллическими материалами они обладают рядом выдающихся магнитных, механических и химических свойств, которые связаны с их аморфной структурой. К достоинству аморфных металлов можно отнести также очень простую схему их производства. Она, как правило, укладывается в две стадии: выплавка сплава и ...

Балласт для твердотельных светодиодных осветителей

Вследствие удорожания электрической энергии, ужесточения требований и стандартов по яркости, эффективности и КПД для светодиодов, а также совершенствования технологии их производства, они стали превосходной альтернативой осветителям, построенным на базе ламп накаливания и ламп дневного света. Статья посвящена балластам для твердотельных светодиодных осветителей

Применение новой серии P-канальных MOSFET транзисторов компании IXYS

Семейство p-канальных MOSFET-транзисторов компании IXYS обладает всеми основными преимуществами сопоставимых n-канальных MOSFET, такими как очень быстрое переключение, управление с помощью уровня напряжения затвора, простота параллельного соединения и высокая температурная стабильность.

Микросхемы Primarion для цифрового управления мощностью

Рассмотрены особенности цифровых контроллеров и сопутствующих микросхем для построения высокостабильных DC/DC преобразователей напряжения, размещаемых на печатной плате непосредственно у низковольтных нагрузок (0,8…5–15 В), потребляющих токи до 200 А. Приведен обзор компонентов для цифрового управления мощностью, выпускаемых фирмой Primarion, включенной в 2008 году в состав Infineon Technologies.

Расчет силовых трансформаторов при произвольных законах изменения напряжения и тока

Предложен принцип расчета силовых трансформаторов при произвольных законах изменения напряжения и тока. Расчет предполагает удовлетворение двух условий: это обеспечение теплового режима элементов силового трансформатора и получение заданной индуктивности рассеивания. Проведено сравнение шести часто встречающихся конфигураций силовых трансформаторов.