Реклама

  • Баннер Новой Электроники Росии 24

Оптимизация частотных свойств кремниевых IGBT, предназначенных для работы с SiC-диодами Шоттки в гибридных модулях
Предложен метод определения оптимальных характеристик кристаллов кремниевых быстрых IGBT, предназначенных для совместной работы с SiC SBD в гибридных модулях. Найдены оптимальные дозы протонного облучения и определены оптимальные статические и динамические характеристики 1200 В IGBТ для гибридных модулей, комплектующих DC/DC-конвертеры с рабочей частотой преобразования до 50 кГц.

11.11.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Влияние топологии многокристальных IGBT-модулей на распределение тока между транзисторными чипами в статических режимах работы
Тенденция повышения рабочих токов сило- вых полупроводниковых модулей на IGBT до 1000 А и более предполагает в конструкции данного устройства использование параллельного включения большого количества IGBT-чипов и обратных диодов. Естественно, что одной из основных проблем при разработке топологии таких изделий является обеспечение распределения тока между чипами как в статических, так и в динам...

01.11.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2024 Силовая электроника