Приборы на основе нитрида галлия для преобразователей напряжения и частоты
В статье анализируется динамика рынка СПП и отмечается, что полевые GaN-транзисторы успешно вытесняют приборы на основе Si и конкурируют с приборами SiC в части наиболее технологичных применений СВЧ-связи, радиолокации, электропривода, а также в преобразователях напряжения и частоты. Приведены характеристики материалов и свойств GaN-приборов. Выполнено сравнение характеристик GaN-транзисторов и... 




