Быстродействующий каскодный ключ с полевым управлением
Эффективность той или иной конструкции приборов силовой электроники может быть оценена величиной суммарных потерь мощности, приходящихся на единицу площади кристалла. Эффективность той или иной конструкции приборов силовой электроники может быть оценена величиной суммарных потерь мощности, приходящихся на единицу площади кристалла. Сравнительный анализ эффективности ключевых силовых транзисторов с полевым управлением
В статье рассматривается очередной этап совместной работы специалистов НИЦ СПП ВЭИ и кафедры ПЭ МЭИ по разработке новых силовых транзисторов, собранных по каскодной схеме и управляемых по затвору МОП структурой. Сравнительные экспериментальные исследования силовых модулей IGBT и модулей на основе комбинированных СИТ-МОП полевых транзисторов
В статье приводятся сравнительные исследования комбинированных полупроводниковых ключей, реализованных на базе IGBT и комбинированного СИТ-МОП полевого транзистора (КСМТ) как полных функциональных аналогов. Исследование процессов запирания комбинированных силовых транзисторов
В первом номере «Силовой электроники» была опубликована статья «Сравнительные экспериментальные исследования силовых модулей IGBT и модулей на основе комбинированных СИТ-МОП силовых транзисторов» [1]. В настоящей статье представлены дальнейшие исследования комбинированных силовых транзисторов в широком диапазоне выходных параметров, в том числе заключительный интервал выключения — стадия протек... Гибридный силовой транзистор IGBT — статистические и динамические характеристики
Самым перспективным направлением создания современных силовых транзисторов являются комбинированные биполярно-полевые структуры, сочетающие принцип полевого управления и биполярный механизм переноса тока. Наиболее распространен вариант конструкции, называемый биполярным транзистором с изолированным затвором, или IGBT. Базовая ячейка подобной конструкции показана на рис. 1 и представляет собой с...