Реклама

  • Баннер Новой Электроники Росии 24

Анализ технологических факторов процесса термомиграции
Оценены перспективы разработки технологии создания сквозных разделительных р+-зон термомиграцией на пластинах кремния больших диаметров. Представлены результаты анализа распределения обратных напряжений UR на чипах диодов прямой полярности,изготовленных на пластинах Ø76 мм с использованием термомиграции.

17.03.2021 | Технологии
Метки:
Оставить комментарий

Исследование технологических факторов процесса термомиграции
Термомиграция, или зонная перекристаллизация градиентом температуры — способ, позволяющий создавать в течение сравнительно короткого времени сильно легированные подложечные р+-слои и локальные сквозные р+-области в объеме полупроводникового материала.

04.08.2010 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Использование термомиграции в технологии структур силовых полупроводниковых приборов
Одна из основных тенденций развития силовой полупроводниковой техники — замена дискретных приборов в герметичных металлостеклянных корпусах на силовые модули, в которых структуры силовых полупроводниковых приборов (СПП) — силовых тиристоров, триаков, силовых транзисторов, силовых диодов и т. д. — монтируются на изолирующем керамическом основании и герметизируются в пластмассовом корпусе. Структ...

19.09.2007 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2024 Силовая электроника