Особенности корпусирования герметичных интегральных схем
Для обеспечения устойчивости к термоциклическим нагрузкам силовые интегральные схемы в металлокерамических и металлостеклянных корпусах герметизируют преимущественно шовно-роликовой сваркой. Основными параметрами, влияющими на герметичность корпуса, являются усилие сжатия свариваемых элементов, амплитуда сварочного тока во вторичной обмотке трансформатора и его длительность. Для повышения стаби...
Технологические особенности монтажа Flip-Chip
В статье рассмотрены технологические особенности процессов монтажа Flip-Chip
кристаллов интегральных схем на подложки, включая формирование объемных
выводов, применение анизотропных проводящих пленок, методов ультразвуковой
и термозвуковой пайки и сварки.
Повышение надежности микроконтактных соединений радиационно-стойких мощных транзисторов
Предложены и исследованы способы повышения надежности микроконтактных
соединений в радиационно-стойких мощных биполярных транзисторах.
Факторы, влияющие на герметичность мощных транзисторов в металлокерамических и металлостеклянных корпусах
Исследованы причины негерметичности при сборке металлокерамических и металлостеклянных корпусов мощных транзисторов, предназначенных для электронных модулей силовой электроники.
Сборка и монтаж мощных транзисторов в корпусе SMD-2
Исследованы способы сборки и монтажа мощных транзисторов в корпусах типа SMD, предназначенных для электронных модулей силовой электроники.
Конструктивно-технологическая оптимизация параметров диодов Шоттки
В статье изложены результаты оптимизации конструктивно-технологических
исполнений и параметров быстродействующих диодов Шоттки, обеспечивающие
стабильные характеристики качества изделий.
Сборка мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов для поверхностного монтажа
Исследованы способы сборки мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов, предназначенных для поверхностного монтажа электронных модулей силовой электроники.
Монтаж кристаллов IGBT силовых транзисторов
Исследованы способы монтажа IGBT силовых транзисторов средней мощности пайкой легкоплавкими припоями и показано их влияние на тепловое сопротивление перехода кристалл – корпус, структуру соединений и параметры IGBT силовых транзисторов.
Сравнительная характеристика способов монтажа кристаллов MOSFET силовых транзисторов
Исследованы способы монтажа MOSFET силовых транзисторов средней мощности эвтектической пайкой, пайкой легкоплавкими припоями, клеевой композицией и показано их влияние на тепловое сопротивление перехода кристалл–корпус, структуру соединений и выход годных изделий.
Алмазные теплоотводы для изделий электроники повышенной мощности
Проблемы отвода тепла в изделиях силовой электроники приобретают особую актуальность в связи с повышением плотности упаковки тепловыделяющих электронных компонентов. Применение теплоотводов на основе алмазоподобных пленок позволит значительно улучшить тепловые характеристики таких приборов. Для обеспечения эффективной работы необходим выбор конструкции теплоотвода и технологии формирования мета...
