Продолжение. Начало в № 5’2009. Рассмотрены применяемые в настоящее время полупроводниковые силовые компоненты: полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Особое внимание уделено интегрированным силовым модулям (IPM). Сделан обзор компонентов и отечественного, и зарубежного производства.
Эволюция импульсных источников питания: от прошлого к будущему. Часть 4
Продолжен анализ частных технических проблем, решаемых в процессе эволюции нового класса импульсных источников питания. Рассмотрены вопросы защиты силовых элементов преобразователя, а также приведены основные концепции и практические схемы для их реализации в сетевых блоках питания. Приведены основные тенденции совершенствования схем управления импульсных источников питания, с учётом развития т...
Эволюция импульсных источников питания: от прошлого к будущему. Часть 3
Продолжен анализ истории развития импульсных источников питания. Описаны общие закономерности развития нового класса импульсных источников питания, а также рассмотрены пути оптимизации рабочей частоты транзисторных преобразователей напряжения. Проведен детальный анализ основных узлов сетевых блоков, построенных на основе высокочастотных транзисторных преобразователей напряжения с питанием от вы...
Эволюция импульсных источников питания: от прошлого к будущему.
Часть 2
Авторы продолжают анализ истории развития импульсных источников питания. Анализируются особенности нового класса импульсных источников питания, начиная с 1970 годов. Рассмотрены первые источники питания, построенные на основе высокочастотных транзисторных преобразователей напряжения с питанием от выпрямленного сетевого напряжения. Этот класс источников питания, динамично развиваясь, постепенно ...
Эволюция импульсных источников питания: от прошлого к будущему. Часть 1
В данной статье в кратком изложении дается история развития импульсных источников питания. Анализируются особенности построения импульсных источников питания по мере их развития: структуры блоков питания, схемотехнические решения, компонентная электронная база, конструктивно-технологические решения. Обращается внимание на общие закономерности и подводятся итоги развития импульсных источников пи...
Эволюция импульсных источников вторичного электропитания: от прошлого к будущему. Часть 5.1
В статье подведены итоги эволюции нового класса импульсных источников вторичного электропитания (ИВЭ), которые позволяют приступить к анализу путей совершенствования блоков питания. Рассмотрены характерные особенности развития импульсных ИВЭ как в историческом, так и в научно-техническом аспекте эволюции средств электропитания. Приведены особенности эволюции ИВЭ в части компонентной базы с 1965...
Эволюция импульсных источников вторичного электропитания: от прошлого к будущему. Часть 5.2
Авторами выполнен анализ эволюции импульсных ИВЭ в части схемотехники, компонентной базы с 1965 по 2005 г. Для количественной оценки степени эволюционного прогресса некоторых элементов и технических характеристик изделий потребительского спроса, в частности узлов и блоков средств электропитания, предложен метод расчета специального параметра. Предложен радикальный путь дальнейшего развития импу...
Электронная компонентная база силовых устройств.
Часть 1. Диоды
В статье описываются особенности электронных компонентов силовых устройств (СУ) и приводятся их основные параметры. Рассмотрены применяемые в настоящее время полупроводниковые силовые компоненты (диоды, тиристоры, симисторы, транзисторы, интегрированные силовые модули), устройства управления ими, коммутационные и некоторые пассивные компоненты отечественного и зарубежного производства. Первая ч...
Интеллектуальная силовая электроника: от настоящего к будущему
Эволюция интегрированных компонентов силовой электроники — силовых ключей, микросхем и силовых модулей — наиболее перспективное направление интеллектуальной силовой электроники. Сегодня эта отрасль развивается стремительно — прежде всего, благодаря успехам в совершенствовании технологии изготовления и в значительном улучшении параметров мощных полевых транзисторов (MOSFET), биполярных транзисто...
Надежность силовых устройств в России: мифы и реалии, проблемы и пути решения. Часть 4. Импульсные источники питания
В общем виде рассмотрены основные проблемы импульсных источников питания и приведены меры, способствующие повышению их надежности. Более подробно изложены практические рекомендации по обеспечению надежности импульсных источников питания и их узлов. Рассмотрены конкретные мероприятия по повышению надежности импульсных источников питания.