Выбор и использование полевых транзисторов компании STMicroelectronics для импульсных источников питания

В статье описаны критерии и особенности выбора полевых транзисторов с учетом особенностей их применения на примере MOSFET компании STMicroelectronics.

Бездиффузионная технология изготовления диодов Шоттки

По сравнению с обычными диодами с p-n-переходом диоды Шоттки имеют высокие значения обратного тока, особенно при повышенной рабочей температуре. «Виноваты» в этом как конструктивные особенности устройств, так и структурные дефекты в выпрямляющем контакте металл–полупроводник, образующиеся в процессе высокотемпературных технологических операций при их изготовлении. Очевидно, что уменьшение числа...

Конструктивно-технологическое усовершенствование Trench-диодов Шоттки

В статье рассмотрены некоторые усовершенствования конструкции и технологии Trench-диодов Шоттки, позволяющие упростить технологический процесс, исключив одну фотолитографию, и достигнуть увеличения обратного пробивного напряжения.

Применение субмикронной технологии — путь к созданию высокоэффективных силовых диодов Шоттки

В преобразователях напряжения важная роль отводится силовым диодам Шоттки. Но если силовые транзисторы и микросхемы постоянно находятся в поле зрения разработчиков полупроводниковых приборов, то технологическому и конструктивному развитию силовых диодов не уделяется должного внимания. Ведущие фирмы не занимаются созданием новых версий силовых диодов, считая эти приборы коммерчески невыгодными. ...

Новая технология МОП полевых транзисторов для современной автомобильной электроники

Одной из важнейших и приоритетных задач современного автомобилестроения является создание экономичных, экологически чистых, надежных и безопасных моделей автомобилей. При решении этой задачи ключевая роль отводится совершенствованию автомобильной электроники и расширению числа систем и узлов, в которых применяются электронные блоки контроля, управления и электропривода.