Новая серия интеллектуальных модулей на базе full gate CSTBT

Для повышения эффективности приводов и источников питания компания Mitsubishi Electric разработала новую серию интеллектуальных модулей V1, в которых используются кристаллы, выполненные по технологии full gate CSTBT (Carrier-Stored Trench Gate Bipolar Transistor), и специально разработанная интегральная схема драйвера. В диапазоне до 1200 В модули выпускаются на токи 200/300/450 A, до 600 В — н...

Новая концепция корпуса силовых модулей IGBT компании Mitsubishi Electric

Силовые модули IGBT используются при создании преобразователей широкого диапазона мощностей от 1 кВт до более чем 1 МВт. Для такого широкого диапазона требуются модули c широким диапазоном токов и напряжений. Поэтому и корпус силового модуля IGBT должен быть разработан с учетом различных требований по габаритам, условиям работы и цене.

Новые 3-амперные интеллектуальные силовые модули корпорации Mitsubishi с IGBT с обратной проводимостью

Всё чаще инверторы находят применение в бытовой технике — в стиральных машинах, кондиционерах и холодильниках, что увеличивает эффективность и управляемость этих систем. Особенно эффективно использование в этих системах интеллектуальных силовых модулей (IPM), сочетающих в себе как силовые кристаллы, так и систему управления с функциями защиты. Это позволяет упростить систему и сделать её более ...

Силовые модули IGBT серии Mega Power Dual

Корпорация Mitsubishi Electric, лидер в развитии силовых полупроводниковых устройств, представляет новые силовые модули Mega Power Dual IGBT на следующие номиналы: 900 A/1200 В, 1400 A/1200 В и 1000 A/1700 В. Эти устройства основаны на последней технологии кристалла CSTBT. Уникальные преимущества конструкции силовых модулей Mega Power Dual IGBT делают их незаменимыми при производстве высокомощн...