Многоуровневые преобразователи: схемы, особенности применения, алгоритмы управления. Часть 2

Материал продолжает цикл статей, начатый в журнале «Силовая электроника» № 1’2019. В первой части статьи рассматривались основные топологии средневольтовых (MV) преобразователей, а также особенности силовых полупроводниковых ключей, предназначенных для MV-применений.

Многоуровневые преобразователи: схемы, особенности применения, алгоритмы управления. Часть 1

Разработка высоковольтных IGBT с рабочим напряжением 3,3; 4,5 и 6,5 кВ, управляемых тиристоров IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristors) с напряжением 4,5 и 5,5 кВ, а также совершенствование конструкции силовых электронных преобразователей привели к заметному увеличению доли рынка конвертеров напряжения (VSC) с широтно-импульсной модуляцией (ШИМ). Несмотря на заметное снижение цен на управля...