Повышение эффективности силовой электроники за счет совершенствования конструкции IGBT-транзисторов

Компания Infineon разработала новую технологическую платформу, названную TrenchStop 5, которая характеризуется специальной конструкцией ячеек и сверхмалой толщиной полупроводниковых пластин, что позволяет одновременно снизить потери на проводимость и на переключение. Последний вариант данной технологии — HighSpeed 5 — предназначен для быстродействующих устройств, в частности ККМ или повышающих ...

IGBT-модули. Практическое исследование трехуровневых инверторов, выполненных по гибридной технологии с использованием SiC- и Si-транзисторов

Трехфазные выходные инверторы, установленные в современных системах солнечных батарей, бесперебойных источниках питания и устройствах преобразования энергии общего назначения, часто основаны на трехуровневых топологиях с использованием кремниевых IGBT. В этой статье демонстрируется потенциал гибридного инвертора, выполненного на базе карбид-кремниевых МОП-транзисторов CoolSiC и кремниевых транз...