Силовая элементная база
- Алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером
- Исследование стойкости SiC-диодов Шоттки ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» к скорости нарастания обратного напряжения
- Концепция мощного SiC-модуля со сверхнизкой коммутационной индуктивностью
- Обзор IGBT-драйверов AgileSwitch
- Полный карбид-кремниевый MOSFET-модуль на 3,3 кВ: новый класс эффективности тяговых инверторов
Источники питания
- Влияние входного фильтра на характеристики импульсных преобразователей постоянного напряжения
- Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree.
Часть 1. Оценка влияния паразитных элементов - IGBT-модули. Практическое исследование трехуровневых инверторов, выполненных по гибридной технологии с использованием SiC- и Si-транзисторов