Программа семинара «Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния SiC и нитрида галлия GaN»
Медиагруппы «Электроника» и «FineStreet», которые известны Вам по журналам «Электронные компоненты», «Компоненты и технологии», «Силовая электроника»,
«Современная светотехника», «Полупроводниковая светотехника», проводят семинар
«Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния SiC и нитрида галлия GaN».
Семинар пройдет 27 октября 2015 года в Москве, в ГТК «Измайлово»
Программа семинара
| 9.30-10.00 | Регистрация |
| 10.00-10.40 | «Разработка и производство отечественных эпитаксиальных структур карбида кремния высокого качества» Гейфман Евгений Моисеевич, ОАО «Электровыпрямитель», зам.генерального директора |
| 10.40-11.20 | «Создание омических контактов к 4Н SiC» Черных Максим Игоревич, ОАО «НИИЭТ», инженер-технолог |
| 11.20-12.00 | «Отечественные диоды Шоттки на основе карбида кремния. Опыт разработки и внедрения» Брюхно Николай Александрович, ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», начальник отдела перспективных технологий |
| 12.00-12.20 | Кофе-брейк |
| 12.20-13.00 | «Разработка отечественной технологии производства силовых коммутационных транзисторов на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия и карбида кремния для создания энергоэффективной преобразовательной техники нового поколения» Ерофеев Евгений Викторовичm ЗАО «НПФ Микран», начальник лаборатории усилительных МИС НПК «Микроэлектроника», к.т.н. |
| 13.00-13.40 | «Полевые транзисторы на нитридах A3/B5: достижения, проблемы и перспективы» Федоров Юрий Владимирович, институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, главный конструктор-зам.директора по НИОКР |
| 13.40-14.20 | «Карбидокремниевые силовые ключи, диоды Шоттки и модули фирмы Wolfspeed (a CREE company)» Андрей Лебедев, Макро Групп, продукт-менеджер |
| 14.20-14.40 | «Экспериментальная оценка радиационной стойкости SiC-приборов» Кессаринский Леонид Николаевич, АО «ЭНПО СПЭЛС», начальник НТК-3, к.т.н. |
| 14.40-15.20 | «Измерение типовых параметров мощных полупроводниковых приборов в диапазоне до 10кВ и 1.5кА на этапе разработки новых устройств или входного контроля» Виктор Епифанов, компания Keysight Technologies, инженер |
| 15.20-16.20 | Обед |
* * *
11 января, 2011