Новый МОП-транзистор на 100 В и 160 А от Toshiba

Toshiba_14_12_16

Компания Toshiba Electronics Europe представляет новый МОП-транзистор на 100 В и 160 А с более узким диапазоном номинального порогового напряжения (Vth) по сравнению с предыдущими устройствами. Более строгая спецификация порогового напряжения очень важна в схемах коммутации. Минимальное и максимальное значение Vth для TK160F10N1L составляет 2,5 и 3,5 В соответственно (по сравнению с 2 и 4 В у его предшественников).

Новый МОП-транзистор оптимален для создания автомобильных силовых коммутирующих устройств. В таких системах более жесткая спецификация Vth позволяет снизить «мертвое время» в схемах H-, B6- и полумостов. Это достигается за счет уменьшения разницы максимального Vth между МОП-транзисторами верхнего и нижнего плеча.

В схемах с параллельным включением МОП-транзисторов более строгая спецификация позволяет улучшить характеристики синхронного переключения параллельно включенных МОП-транзисторов. В результате потери при переключении распределяются между МОП-транзисторами более равномерно. Если отдельный МОП-транзистор открывается раньше или закрывается позже, чем другие параллельные ему МОП-транзисторы, потери сосредоточиваются именно в этом транзисторе.

Для производства TK160F10N1L используется новейший технологический процесс изготовления полупроводниковых приборов компании Toshiba — UMOS VIII-H. Данный техпроцесс обеспечивает превосходное подавление пульсаций при переключении и помогает снизить уровень электромагнитных помех. Области применения нового МОП-транзистора включают автомобильные электродвигатели в системах с напряжением питания 48 В, преобразователи постоянного тока и переключатели нагрузки.

TK160F10N1L выпускается в корпусе TO-220SM (W), имеет максимальное сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON)) 2,4 мОм и будет соответствовать требованиям сертификации автомобильных компонентов AEC-Q101.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *