Краткий обзор основных IGBT-технологий

№ 1’2014
PDF версия
Для опытных инженеров, которые давно занимаются разработкой электроприводов, эта статья о биполярных транзисторах с изолированным затвором (Insulated-Gate Bipolar Transistor, IGBT) — обобщение известных истин. Однако для новичков, которые только недавно начали проектировать электроприводы, используют IGBT в других приложениях и не вполне знакомы с основными технологиями и соответствующей терминологией, этот перевод статьи может стать кратким справочным пособием.

Информация, изложенная в статье, в первую очередь может оказаться полезной при выборе IGBT для нового проекта, так как те некоторые сведения, которые требуется знать о разных типах IGBT, не упоминаются в технических описаниях. Кроме того, во многих справочных руководствах отсутствует информация о технологиях изготовления IGBT. Понимание различий между этими техпроцессами позволяет найти современную замену устройствам IGBT, которые используются в уже существующих приложениях.

 

Сравнение IGBT с MOSFET

По сравнению с MOSFET процессы обработки поверхности IGBT имеют много схожего, но основные различия в динамических характеристиках этих устройств обусловлены разными структурами нижней поверхности полупроводниковых пластин. Хорошо известные n-канальные MOSFET, работающие в режиме обогащения, делятся на планарные и выполненные по технологии Trench. Поперечное сечение этих устройств и направление тока представлены на рис. 1. Электрическое поле, созданное приложенным между затвором и истоком положительным напряжением значительной величины, вынуждает большое количество носителей дрейфовать от имплантированной n-зоны к имплантированной p-зоне.

В MOSFET планарного типа бóльшая часть пути тока приходится на боковой дрейф, а меньшая — на отрезок между поворотом на 90° и стоком (рис. 1). Чем длиннее общий путь, включая небольшой отрезок канала, где проводимость модулируется металлическим затвором, тем больше сопротивление RDS(ON) на единицу площади (при том же напряжении VDSS и шаге между ячейками).

Направление токов, протекающих через MOSFET двух типов

Рис. 1. Направление токов, протекающих через MOSFET двух типов

В Trench MOSFET канал дрейфующих к стоку носителей полностью вертикален, а проводимость модулируется в намного большей степени за счет большей площади металлического затвора, расположенного по сторонам канала. В результате сопротивление RDS(ON) у транзисторов этого типа меньше по сравнению с планарными устройствами. В обоих случаях электроны дрейфуют от истока по n— и p-каналам в подложку n-типа, обеспечивая так называемое открытое состояние транзистора.

Как известно, в n-канальном MOSFET, работающем в режиме обогащения, имеется внутренняя n-p-n-структура. Работа этого устройства редко вызывает проблемы благодаря тому, что его переход «база–эмиттер» практически закорочен металлизированным покрытием электрода истока. Если напряжение между стоком и истоком устройства достаточно быстро увеличивается при протекании заряда в биполярный транзистор от обратной емкости CRSS, он может включиться, а затвор — потерять способность к управлению. И хотя защелкивания не происходит, поскольку прекращается управление только биполярным транзистором, последствия могут быть катастрофичными. Большинство приложений нечувствительно к этому режиму работы из-за паразитных элементов, которые ограничивают скорость нарастания фронта VDS.

IGBT работает схожим образом, но за счет слоя p+ на нижней поверхности полупровод­никовой пластины. Кристаллы IGBT, выполненные по технологии PT (punch-through), имеют достаточно большую толщину — порядка 200 мкм у 600-В устройств. Главным образом это обусловлено очень толстым эпитаксиальным слоем p+ (около 100 мкм), нанесенным на заднюю поверхность подложки n-типа. Эти устройства также имеют буферный слой n+, который нанесен непосредственно поверх слоя p+. Именно благодаря этому слою n+ возник термин punch-through («смыкание р-n-перехода»). С этой точки зрения, это устройство очень напоминает по строению планарный MOSFET.

Для объяснения работы механизма punch-through следует принять два допущения. Вывод коллектора IGBT фактически представляет собой эмиттер внутреннего биполярного р-n-р-транзистора. Следует учитывать динамические характеристики этого устройства.

В случае сильно легированных n— и р-каналов перехода «база–эмиттер» обеспечивается более высокий коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером и меньшее напряжение VCE(SAT), чем при использовании слаболегированной зоны n+. Чем указанный коэффициент усиления выше, тем ниже VCEO относительно VCBO биполярного транзистора. (Опытные инженеры могут по этому случаю вспомнить, как в свое время выбирали биполярные транзисторы с небольшим коэффициентом усиления по току для импульсных источников питания, а затем пропорциональный управляющий сигнал для базы, чтобы вывести транзисторы из насыщения).

IGBT, выполненные по технологии PT, преодолевают эти асимптотические пределы. Как только IGBT начинает выключаться, напряжение VCBO p-n-p-транзистора блокирует напряжение. Следует заметить, что переход «коллектор–база» p-n-p-транзистора находится рядом с верхней поверхностью этого устройства. Между p-n-p-коллектором верхней части IGBT (эмиттером устройства) и переходом «база–эмиттер» с рекомбинирующими носителями начинает появляться высокое напряжение. Оно приводит к возникновению электрического поля, которое убывает по мере удаления от верхней части устройства к внутреннему граничному слою n/n+. Если поле достаточно велико у этого граничного слоя, переход «коллектор–база» распространяется в буферный слой n+. В результате переход «база–эмиттер» внутреннего p-n-p-транзистора очень быстро закрывается, «хвост» тока становится короче по сравнению с «хвостом» в устройствах типа NPT (non-punch-through), у которых этот буферный слой отсутствует.

IGBT, выполненные по технологии PT, например транзисторы 4-го поколения от компании International Rectifier (IR), имеют отрицательный температурный коэффициент. Это значит, что напряжение VCE уменьшается с увеличением температуры, что затрудняет возможность параллельного соединения устройств и вынуждает тщательно подбирать соответствующее значение VCE. Расчетное время короткого замыкания, как правило, невелико и не устанавливается. Это обусловлено относительно высоким коэффициентом усиления по току биполярного транзистора и неспособностью точно управлять крутизной n-канального MOSFET, чтобы ограничить максимальный ток и, как следствие, максимальную рассеиваемую мощность.

 

NPT-устройства

В отличие от PT IGBT, NPT-транзисторы, например 4-го поколения от компании IR, имеют легированную зону p+ на нижней стороне подложки n-типа. Поскольку эта зона сравнительно небольшой толщины, обработка подложки обходится дешевле. Буферный слой n+ отсутствует. Несмотря на внешнее сходство, разница между этими двумя структурами устройств значительная. Состояния включения и выключения реализуются схожим образом, но в NPT-транзисторах отсутствует эффект смыкания, что позволяет сократить время накопления заряда и побуждает рекомбинировать носители в переходе «база–эмиттер» собственной p-n-p-структуры. В результате «хвост» коллекторного тока при выключении NPT-транзисторов немного длиннее, чем у PT-устройств, а остальные характеристики идентичны.

Из-за меньшего коэффициента усиления по току в собственной p-n-p-структуре напряжение VCE(SAT) PT-транзисторов несколько выше, чем у NPT, благодаря чему легче управлять максимальным током p-n-p-транзистора с меньшим коэффициентом усиления с помощью собственного n-канального MOSFET. Это значит, что длительность короткого замыкания NPT-устройства хорошо определяется и контролируется. Значение этого параметра у NPT IGBT находится в диапазоне до 10 мкс.

Наконец, характеристики n-канального MOSFET превалируют над NPT IGBT. Это значит, что напряжение VCE(SAT)увеличивается с ростом температуры, позволяя соединять эти устройства параллельно друг другу.

 

Field-Stop IGBT

Рассмотрим совершенно новое устройство из семейства IGBT — очень эффективные IGBT семейства Field Stop. Сама по себе эта технология позволяет уменьшить напряжение насыщения за счет намного меньшей толщины подложки. В этом случае относительно тонкий слой n обедняется при закрытии перехода «коллектор–база» и смыкается с тонким хорошо управляемым слоем n+, в котором рост электрического поля прекращается. Транзисторы, выполненные по технологии Field-Stop, имеют очень малую толщину по сравнению с устройствами NPT и PT. Благодаря использованию слоя n+, прекращающего дальнейшее распространение электрического поля, Field-Stop IGBT можно отнести к семейству PT-устройств. Однако транзисторы Field-Stop намного лучше управляются, чем их предшественники PT.

IGBT, появившиеся на базе технологии MOSFET, относятся к Trench-устройствам, как, например, транзисторы IR 7-го поколения. Как уже упоминалось, технология Trench позволяет с помощью затворного напряжения той же величины модулировать намного большую область дрейфа, увеличивая коэффициент усиления n-канального MOSFET, уменьшая расстояние до стока и величину сопротивления в открытом состоянии. Траектория прохождения тока в этом случае представляет собой вертикальную прямую линию, идущую от коллектора к эмиттеру. Меньшее значение RDS(ON) MOSFET наряду с более высоким коэффициентом усиления биполярного транзистора за счет тонкого буферного слоя n+обеспечивает меньшее напряжение VCE(SAT). На рис. 2 сравниваются разные IGBT-структуры.

Рис. 2. Сравнение разных IGBT-технологий: PT, NPT и FS/Trench (порядковые номера поколений транзисторов обозначают соответствующие техпроцессы IR, с помощью которых эти устройства были изготовлены)

Комбинация технологий Trench и Field-Stop при создании, например, 1200-В семейств транзисторов IR 6-го и 7-го поколений обеспечивает меньшее значение RDS(ON) и толщину устройства, больший коэффициент усиления канала и наличие зоны n+Field-Stop, благодаря чему появляется возможность использовать устройство в параллельных конфигурациях при минимальном времени накопления заряда и большей устойчивости к намного более высоким температурам. Из-за тонкого перехода «база–коллектор» в собственном p-n-p-транзисторе при значительном токе может возникнуть нехватка носителей и состояние ненасыщения. Поскольку максимальный ток короткого замыкания ограничен, упрощается механизм противодействия возникновению этих условий.

У всех этих устройств общий механизм отказа. У MOSFET, который мы рассмотрели выше, имеется внутренний n-p-n-транзистор, расположенный параллельно выводам стока и истока. Переход «база–эмиттер» этого n-p-n-транзистора закорочен металлизированным покрытием истока вдоль n— и p-каналов. В IGBT имеется дополнительный p-слой на обратной стороне устройства, благодаря которому тиристор формируется из этого паразитного n-p-n-транзистора (n-p-n-p). В отличие от MOSFET, который может пропустить большой импульс тока коммутации через емкость CRSS, IGBT в этих условиях полностью защелкивается. Коэффициенты усиления этих переходов тщательно контролируются, но при нарушении установленных режимов IGBT защелкивается.

 

Чего нет в технических описаниях

При поиске подходящего устройства для конкретного приложения используются руководства по выбору, с помощью которых выясняются требуемые характеристики — напряжение, ток, частота коммутации и другие параметры. В одних случаях эти руководства хорошо справляются со своей задачей, в других имеются досадные ограничения.

Как правило, информация о рассмотренных выше технологиях не предоставляется в технических описаниях, несмотря на то, что эти материалы широко используются на семинарах, производстве и при обсуждении характеристик устройств. Может быть, настало время дополнить технические описания необходимой информацией?

Очевидно, что при выборе списка материалов, например для силового преобразователя или его замены современным устройством, знание о технологии его построения окажет разработчику неоценимую услугу.

Предположим, необходимо создать емкостный регулятор яркости, управляемый несфазированным полным мостом ZVT (Zero Volt Switching — коммутация при нулевом напряжении). При этом следует понять, подойдет ли с этой целью резонансная топология. Ответ на этот вопрос положителен в тех случаях, когда ток нагрузки достаточно велик, чтобы в первичной индуктивности рассеяния накопилась энергия примерно той же величины, что и в емкости COSSпротивоположного IGBT в полумостовых схемах. В иных случаях выбирается жесткая коммутация. Таким образом, используются и мягкая, и жесткая коммутация. Однако ни одно руководство по выбору не дает ответа на этот важный вопрос.

При разработке электропривода возникают и другие вопросы, на которые не найти ответа в руководстве по выбору. Нужна ли в схеме защита от короткого замыкания? Как правило, нет, поскольку у привода отсутствуют незащищенные выводы и потому вероятность их замыкания нулевая. В рассматриваемом примере разработчику следует обеспечить малые значения COSS (выходная емкость), QG (заряд затвора), CRSS (емкость обратного смещения), EOFF (энергия выключения) и QRR (заряд обратного восстановления диода). Этот набор параметров реализуется с помощью любой технологии — PT, NPT или Field-Stop/Trench — в зависимости от частоты коммутации.

Для выбора оптимального устройства следует обсуждать эти приложения с инженерами по применению и производителями. Следует также выбрать диод, соответствующий конкретной IGBT-технологии. Как правило, предпочтителен выбор диодов с малым значением QRR. Высокие значения IRR, QRR и tRR могут стать причинами большого шума.

Итак, этот краткий обзор IGBT-технологий можно рассматривать как пособие для проектирования не только стандартных, но и новых приложений, в отношении которых наблюдается нехватка важной информации.

Литература
  1. Mohan N., Undeland T., Robbins W. Power Electronics: Converters, Applications and Design. John Wiley and Sons. Third Edition. 2003.
  2. IGBT Characteristics. IR application note AN-983.
  3. Wood P., Battello M., Keskar N., Guerra A. IPM Application Overview, Integrated Power Module for Appliance Motor Drives. International Rectifier application note AN1044 rev. A.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *