IGBT силовые транзисторы International Rectifier шестого поколения

№ 4’2009
PDF версия
В последнее время сектор элементной базы для силовой электроники бурно развивается. Базовыми элементами силовых регулирующих устройств являются мощные силовые ключи. Их основными параметрами являются предельные напряжения и ток, а также быстродействие и эффективность передачи энергии. В качестве мощных ключевых элементов используются MOSFET силовые транзисторы, IGBT силовые транзисторы и тиристоры. В тех областях, где требуется сочетание высоких рабочих напряжений и токов, доминируют IGBT силовые транзисторы. Они могут использоваться в виде дискретных приборов, бескорпусных кристаллов в составе гибридных силовых модулей и интеллектуальных силовых модулях различных электроприводов.

Известно, что биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT — Insulated Gate Bipolar Transistor) обладают преимуществами легкого управления полевыми МОП-транзисторами и низкими потерями проводимости, характерными для биполярных транзисторов. На рис. 1 показана эквивалентная схема IGBT-транзистора.

IGBT можно представить как комбинацию биполярного p_n_p транзистора и MOSFET

Рис. 1. IGBT можно представить как комбинацию биполярного p_n_p транзистора и MOSFET

Традиционно IGBT используют в тех случаях, где необходимо работать с высокими токами и напряжениями. IGBT-транзисторы в настоящее время выпускают десятки производителей. Среди них — Infineon Technologies, Semikron, International Rectifier, Fairchild Semiconductor, Toshiba, Hitachi, MITSUBISHI, FUJI, IXYS, Power Integration, Dynex Semiconductor и другие.

В конце 1980-х годов было создано первое поколение IGBT-транзисторов, а уже в начале 1990-х появились второе и третье. Прогресс в технологии IGBT шел по линии увеличения рабочих напряжений и токов, а также повышения эффективности преобразования за счет снижения потерь мощности на кристалле как в статическом, так и в динамическом режимах. Происходило и удешевление приборов. К настоящему времени и для серийного производства уже используются технологии четвертого, пятого и шестого поколений IGBT-транзисторов. Следует отметить, что нумерация поколений достаточно условна и у разных фирм может отличаться.

 

Развитие технологии IGBT-транзисторов фирмой IR

Компания International Rectifier является признанным лидером в разработке и производстве высококачественных силовых полупроводниковых приборов. Диапазон продукции IR достаточно широк и объединяет в себе различные направления. Это и дискретные устройства (биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), мощные полевые транзисторы (MOSFET) и модульные сборки на основе кристаллов дискретных элементов, а также ИМС для управления энергосберегающими источниками света, силовые ИМС для электронных балластов люминесцентных ламп и ламп высокого давления, микросхемы драйверов IGBT и MOSFET, включая высоковольтные микросхемы HVIC, продукты на базе интегрированной платформы IMotion и цифровые контроллеры для управления электроприводом, продукты платформы SupIRBuck, микроэлектронные твердотельные реле. В настоящий момент фирма выпускает широкую номенклатуру IGBT, для производства которых используются технологии 4-го (4 PT IGBT), 5-го (5 Non-PT IGBT) и 6-го поколений (DS Trench IGBT). Для первых двух технологий в полевом транзисторе используется планарный затвор, а в последнем (DS Trench) — вертикальный. Собственно, структуры приборов для данных технологий разработаны уже давно и используются производителями на протяжении многих лет. Все дело в нюансах, которые дают возможность производителю реализовать те или иные преимущества технологии. И цена производства кристалла имеет не последнее значение. На рис. 2 показана эволюция технологии IGBT-транзисторов фирмы IR.

Эволюция технологии IGBT-транзисторов в IR

Рис. 2. Эволюция технологии IGBT-транзисторов в IR

Новые транзисторы оптимизированы для работы на частотах переключения до 20 кГц, и для снижения энергии потерь на проводимости и переключении в них использована Trench-технология. Эти IGBT с антипараллельным ультрабыстрым диодом имеют энергию переключения ETS и более низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(on), чем IGBT PT и NPT типа. Кроме того, ультрабыстрый диод с мягким восстановлением дополнительно повышает эффективность преобразования и снижает уровень генерируемых помех.

 

Технология с вертикальным затвором

Для данного типа технологии затвор полевого транзистора сформирован в виде глубокой канавки (trench gate) на подложке (рис. 2). При изготовлении Trench-FS (Field Stop) транзисторов используется буферный n+ слой в основании подложки. В сочетании с модифицированной конструкцией эмиттера структура затвора позволяет оптимизировать распределение носителей в области подложки и уменьшить напряжение насыщения транзисторов Trench-FS на 30% по сравнению с транзисторами, созданными по технологии NPT. Уменьшается почти на 70% и площадь кристалла, обеспечивается большая плотность тока транзистора.

Технология Trench немного сложнее и дороже, чем NPT. Однако уменьшение размера кристалла Trench-FS снижает его удельную себестоимость, что в итоге позволяет уравнять цены на готовую продукцию по отношению к аналогичным приборам, производимым по другим технологиям. Кроме того, благодаря снижению энергии потерь, при равноценной площади кристалла существенно возрастает ток транзистора (до 60%).

У вертикального затвора, в отличие от пла-нарного, отсутствуют горизонтальные пути протекания тока. Ток течет к коллектору по кратчайшему пути, что обеспечивает снижение потерь на проводимость. Trench IGBT имеют самый низкий уровень статических и динамических потерь среди IGBT, производимых компанией. У новых Trench IGBT благодаря уменьшению длины «хвоста» обеспечивается более плавная траектория переключения, чем у NPT IGBT. «Хвостом» (tail current) называется остаточный ток коллектора биполярного транзистора IGBT, возникающий из-за рассасывания носителей в области базы после запирания транзистора. Благодаря этому энергия выключения стала на 10-20% ниже, чем у NPT IGBT.

 

Линейка 600 В IGBT-транзисторов Trench 6-го поколения

Семейство 600-вольтовых Trench IGBT в первую очередь ориентировано на использование в UPS-источниках и преобразователях солнечной энергии мощностью до 3 кВт. Силовые приборы этого семейства могут также служить эффективной заменой аналогичных IGBT-транзисторов в системах управления приводом компрессоров в холодильниках, индукционных системах нагрева, а также в приводах мощных вентиляторов. Приборы позволяют на 30% снизить мощность рассеивания по сравнению с IGBT других типов. Компания разработала линейку из 8 приборов в корпусах TO-220TO-247, с рабочим напряжением 600 В и токами 4-48 А.

Для всех типов данных транзисторов используются кристаллы толщиной 70 мкм. Гарантированное время выдержки режима короткого замыкания — не менее 5 мкс для всех типов линейки.

Все корпусированные приборы выполнены по схеме Co-Pack (имеют встроенный антипараллельный ультрабыстрый диод). Основные технические характеристики приведены в таблице 1.

Таблица 1. Основные параметры 600 В IGBT-транзисторов 6-го поколения Trench

Тип транзистора

 

Корпус

 

Imax (25 °С), A

 

Imax

(100 °C), A

 

Vce (175 °C), В

 

Ets (175 °C), мкДж

 

Rth(j-c), °C/Вт

 

Мощность, кВт

IRGC4059B IRGB4059D

 

 

 

 

 

 

б/корп. ТО-220

8

4

2,2

210

2,7

0,8

IRGC4045B IRGB4045D

12

6

2,14

329

1,94

1,0

IRGC4060B IRGB4060D

16

8

1,95

405

1,51

1,2

IRGC4064B IRGB4064D

20

10

2,00

415

1,49

1,3

IRGC4056B IRGB4056D

24

12

1,97

540

1,07

1,5

IRGC4061B IRGB4061D

36

18

2,5

855

0,73

2,0

IRGC4062B IRGB4062D IRGP4062D

б/корп. ТО-220 TO-247

 

48

 

24

 

2,04

 

1260

 

0,6

 

2,5

IRGC4063B IRGB4063D

б/корп. ТО-220

96

48

2,10

3210

0,45

4,0

 

Система обозначений для IGBT-транзисторов Trench

Для ранее разработанных IGBT-транзисторов использовалась следующая система обозначений (рис. 3).

Первая система обозначений для транзисторов IGBT IR

Рис. 3. Первая система обозначений для транзисторов IGBT IR

В данной системе обозначений присутствует суффикс, определяющий подкласс по быстродействию прибора (таблица 2).

Таблица 2. Классификация транзисторов IGBT IR по быстродействию

Параметры/подкласс

Standard

Fast

Ultrafast

Vce, В

1,3

1,5

1,9

Энергия переключения, мДж/A·мм2

0,54

0,16

0,055

Потери проводимости, Вт (при 50% постоянного тока)

0,625

0,75

0,95

В процессе разработки новых приборов возникла необходимость введения добавочных суффиксов, определяющих дополнительные параметры транзисторов, поэтому система обозначений была изменена (рис. 4). Эта система, в частности, использовалась для маркировки 600 В Trench IGBT.

Система обозначений для 600 В Trench IGBTтранзисторов

Рис. 4. Система обозначений для 600 В Trench IGBTтранзисторов

После разработки технологии 1200 В Trench IGBT (Gen 6.3+) фирма ввела новую систему обозначений для новых IGBT-транзисторов 4-го и 6-го поколений, которая показана на рис. 5. Для ранее разработанных 600 В транзисторов пока сохраняется маркировка, приведенная на рис. 4.

Система обозначений для поколения Gen 6.3+

Рис. 5. Система обозначений для поколения Gen 6.3+

 
 

Преимущества транзисторов по технологии Trench

Напряжение в открытом состоянии Uce на 30% ниже аналогичного параметра для транзисторов 4-го и 5-го поколений и обеспечивает меньше рассеяние энергии на кристалле и нагрев, повышается эффективность преобразования энергии. Меньшая емкость затвора обеспечивает большее быстродействие, упрощает управление транзистором и снижает уровень динамических потерь.

Квадратная (Square) форма зоны допустимых режимов безопасной работы обеспечивает большую надежность прибора при работе с критическими токами и напряжениями. Незначительный остаточный ток выключения и малые потери выключения (EOFF) позволяют транзисторам работать на более высоких частотах. На рис. 6 показаны сравнительные характеристики допустимой рассеиваемой мощности на кристалле для транзисторов Trench и IGBT-транзисторов с планарным затвором.

Зависимость рассеиваемой мощности от среднеквадратичного выходного тока

Рис. 6. Зависимость рассеиваемой мощности от среднеквадратичного выходного тока

Более высокая допустимая температура кристалла (175 °С) обеспечивает расширение диапазона рабочих температур и повышает надежность прибора. Температура радиатора при аналогичных режимах работы у транзистора Trench будет ниже. Меньшие размеры корпуса транзисторов Trench в сочетании с сокращением размеров радиатора позволяют ужать печатную плату.

Параметры транзисторов 6-го поколения обеспечивают более эффективное преобразование энергии и могут быть рекомендованы в качестве замены транзисторов 4-го и 5-го поколений соответствующей мощности, а также аналогичных транзисторов других производителей.

Технология с вертикальным затвором стала разрабатываться компанией International Rectifier уже тогда, когда на рынке получили широкое распространение Trench IGBT других производителей, в том числе и ведущих в данном секторе фирм — Infineon и Toshiba. Поэтому в процессе разработки линейки нового поколения IGBT-транзисторов перед специалистами IR стояла сложная задача достижения высоких параметров в сочетании с низкой ценой, что позволило бы обеспечить конкурентоспособность продукции на рынке.

Таблица 3. Рекомендуемая замена транзисторов 4-го и 5-го поколений на транзисторы Trench

Ic (Tc=100 °C, Vge = 15 В), А

Trench IGBT 6Gen

NPT IGBT 5Gen

PT IGBT 4Gen

4

IRGB4059D-PBF

IRGB4B60KD1

IRG4BC10SD IRG4BC15MD

TO-220

IRGB4B60KD

IRG4BC15UD IRG4BC10KD

6

IRGB4045D-PBF

IRGB8B60KD

IRG4BC20SD

IRG4BC20FD

IRG4BC20MD

IRG4BC20UD

IRG4BC20KD

TO-220

8

IRGB4060D-PBF

TO-220

10

IRGB4064D-PBF

TO-220

IRGB10B60KD

IRGB15B60KD

IRGP20B60PD

IRG4BC30SD

IRG4BC30FD

IRG4BC30MD

IRG4BC30UD

IRG4BC30KD

IRG4PC40UD

IRG4PC40W

12

IRGB4056D-PBF

TO-220

18

IRGB4061D-PBF

TO-220

24

IRGB4062D-PBF

TO-220

IRGP35B60PD

IRG4PC40UD

IRG4PC50UD

IRG4PC50W

IRG4PC40WD

48

IRGB4063D-PBF

TO-220

IRGP35B60PD

IRGP50B60PD

IRG4PC50UD IRG4PC60

 

Сравнение параметров IGBT-транзисторов 6-го поколения IR с аналогичными Trench IGBT-транзисторами Infineon и Toshiba показало, что по комплексу качеств они не уступают конкурентам, а по отдельным характеристикам даже превосходят их.

Однако следует признать тот факт, что по некоторым параметрам IGBT-транзисторы Infineon сохранили превосходство над транзисторами IR. Проверка по методике International Rectifier показала, что напряжение Uce в открытом состоянии для отдельных типов транзисторов Trench IGBT фирмы Infineon меньше на 30%, чем у аналогичных по мощности транзисторов IR. Быстродействие транзисторов IR оказалось немного хуже, чем у транзисторов Infineon, но намного лучше, чем у Trench IGBT фирмы Toshiba.

Таблица 4. Сравнение ключевых параметров IGBT-транзисторов по технологии Trench от разных производителей

 

FGA25N120FTD Fairchild

IKW25N120T2 Infineon

IRG7PH42UDPBF IR

Technology

FS Trench

 

 

Vce(on) (10 A), В

1,5

1,5

1,40

Vce(on) (20 A), В

1,8

1,8

1,75

Eoff (10 A, 600 В), мкДж

700

800

550

Eoff (20 A, 600 В), мкДж

1150

1700

950

Rth(j-c), °C/Вт

0,4

0,43

0,38

В настоящее время фирма Infineon является лидером в разработке IGBT-технологий, и проигрыш International Rectifier носит скорее временный характер. В планах разработчиков в ближайшее время достичь уровня Uсе и обеспечить быстродействие не хуже, чем у Infineon. В таблице 5 приведены аналоги транзисторов IR и Infineon для выбора альтернативной замены.

Таблица 5. Аналоги транзисторов Infineon и IR

Транзисторы Infineon

Транзисторы IR

Близость аналогов

Корпус

SKP04N60, IKP04N60T

IRGB4059TRPPBF

Прямая замена

ТО-220

SKP06N60, IKP06N60T

IRGB4045TRPPBF

Прямая замена

ТО-220

IKA10N60T

IRGB4060TRPPBF

ТО-220

SKP10N60, IKA10N60T

IRGB4064TRPPBF

Близкая замена

ТО-220

IKW50N60

IRGB4063TRPPBF

Близкая замена

ТО-247

 

1200-вольтовые Trench IGBT

Первые члены этого модельного ряда транзисторов были представлены на рынке в начале 2009 г. В таблице 6 приведены параметры линейки IGBT-транзисторов IR с рабочим напряжением 1200 В.

Таблица 6. Параметры транзисторов 1200 В IGBT по технологии Trench-FS

Тип

Vce(on), В

Ic (100 °C), А

Tsc, мкс

Частота, КГц

Исполнение

Co-Pack/Single switch

Корпус

IRG7PH30K10D

2,2

10

10

4–20

Встроенный диод

TO-247

IRG7PH30K10

2,2

10

10

4–20

Только ключ

TO-247

IRG7PSH73K10

2,2

90

10

 

Только ключ

TO-247

IRG7PH35UD

1,9

20

0

 

Встроенный диод

TO-247

IRG7PH42UD

1,8

30

0

5–40

Встроенный диод

TO-247

IRG7PH46UD

1,8

40

0

 

Встроенный диод

TO-247

IRG7PSH50UD

1,8

50

0

 

Встроенный диод

Super TO-247

 

Области применения 600 и 1200 В IGBT-транзисторов 6-го поколения

Применение Trench IGBT-транзисторов позволяет повысить эффективность работы силовых модулей в различных приложениях. Области применения Trench IGBT:

  • АС/DC, DC/AC-преобразователи;
  • инверторы солнечных батарей;
  • системы индукционного нагрева;
  • преобразователи напряжений в гибридных автомобилях;
  • электропривод в стиральных машинах;
  • электронный балласт в модуле управления ксеноновым светом автомобильных фар;
  • управление компрессором холодильника;
  • формирователь высокого напряжения в микроволновых печах;
  • электропривод компрессоров кондиционера;
  • инверторы сварочных аппаратов.

В таблице 7 приведены требования, предъявляемые к параметрам IGBT-транзисторов для различных приложений.

Таблица 7. Требования к параметрам IGBT-транзисторов для различных секторов применения

 

Область применения

 

Сектора

Напряжение питания, В

Напряжение в преобразователях Sw, В

 

Частота, КГц

Низкое Vce

Малые дин. потери Ets

Tsc, мкс

Поколение IGBT

Электроприводы

Промышленный сектор

240

600

4–16

 

 

10

5; 6.2; 6.2i

480

1200

 

 

 

10

5; 6.7K

Бытовой сектор

110

330

3

да

 

2

6

230

600

 

 

 

 

6.2; 6.8; 4F

Гибридные автомобили

240

600

20

да

 

6

 

480

1200

 

 

 

6

6.8

Корректоры мощности (PFC)

 

 

600

20, 40, 80

 

да

5W; 6.2

 

 

900

20, 40

 

да

4W; 6.7U

Источники бесперебойного питания (UPS)

 

230

600

 

 

 

6.2

 

480

900

 

 

 

6.7U

Сварочные инверторы

 

 

600

20

 

да

5; 6.2

 

 

600

100

да

 

4S

 

 

1200

20

 

да

5; 6.7U

 

 

1200

100

да

 

4S

Инверторы солнечных батарей

 

 

600

20

 

да

5, 6.2

 

 

600

50/60

да

 

4S

 

 

1200

20

 

да

5; 6.7

 

 

1200

50/60

да

 

4S

Индукционный нагрев

 

 

600

>20

да

 

6.2

 

 

1200

>20

да

 

6.7U

 

Драйверы плазменных панелей

 

 

330

>20

да

да

6.0; 6.5

 

 

600

>20

да

да

6.5

Управление освещением

Электронный балласт для ксенонового автосвета

 

12

 

600

 

<400

 

да

 

 

 

4S; 6.8S

Источники питания

Мостового типа

400

600

>20

 

да

5; 6.2

800

1200

>20

 

да

5; 6.3

Ниже будут более подробно рассмотрены примеры использования Trench IGBT, обеспечивающие эффективность готового устройства.

Инвертор 220 В для солнечных батарей

В настоящее время солнечные батареи нашли активное применение как источник электроэнергии, объемы их продаж год от года неуклонно растут. Солнечные батареи образованы из модулей солнечных фотоэлементов, обеспечивающих напряжение от 12 до 100 В и рабочие токи до нескольких десятков ампер. В промышленных применениях (например, опреснители морской воды) используются солнечные батареи с выходным напряжением от 24 до 100 В и мощностью в несколько киловатт. Схема преобразования солнечной энергии такова: солнечная батарея—буферный аккумулятор—инвертор (DC/AC-конвертор) 220/380 В—промышленная установка, питающаяся от сети 220/380 В. На рис. 7 показана структура DC/AC-инвертора для солнечных батарей.

 Структура инвертора для питания от солнечных батарей

Рис. 7. Структура инвертора для питания от солнечных батарей

А на рис. 8 приведен конкретный пример реализации инвертора мощностью 500 Вт с использованием силовых элементов IR, в том числе и Trench IGBT-транзисторов 6-го поколения, обеспечивающих более высокую эффективность преобразования солнечной энергии.

Инвертор для солнечной батареи мощностью 500 Вт

Рис. 8. Инвертор для солнечной батареи мощностью 500 Вт

В схеме используются микросхемы и дискретные транзисторы IR:

  • 600 В Trench IGBT-транзистор IRGB4056DPBF;
  • 100 В DirectFET транзисторы, IRF6644;
  • генератор для управления мостовой схемой IR2086S;
  • 600 В микросхема полумостового драйвера IRS2184S.

Для синтеза 50 Гц используется частота ШИМ 20 кГц.

На рис. 9 показана демо-плата инвертора, собранного по данной схеме. Размер платы около 100×40 мм.

Демо-плата 500 Вт 220 В инвертора для солнечной батареи

Рис. 9. Демо-плата 500 Вт 220 В инвертора для солнечной батареи

Управление электроприводом

На рис. 10 показана типовая схема управления асинхронным электродвигателем. Модуль управления может быть использован в стиральных машинах, компрессорах холодильников или кондиционеров. В качестве силовых ключей в схеме используются Trench IGBT-транзисторы.

Типовая схема интеллектуального привода для асинхронного двигателя мощностью от 250 Вт до 2 кВт

Рис 10. Типовая схема интеллектуального привода для асинхронного двигателя мощностью от 250 Вт до 2 кВт

Драйверы плазменных матричных панелей

Для управления поджигом и гашением разряда в пикселях матричной плазменной панели требуется формирование высоковольтных сигналов сложной формы. IGBT-транзисторы идеально подходят в качестве ключевых элементов для реализации гибридных многовыходных драйверов в плазменной панели. Матричная система пикселей плазменной панели с точки зрения управления представляет собой емкостную нагрузку. Ключевые приборы для таких устройств должны быстро включаться, обеспечивать высокие импульсные токи и иметь низкое падение напряжения в открытом состоянии.

На рис. 11 показана структура плазменной панели.

Структура плазменной панели

Рис. 11. Структура плазменной панели

На рис. 12 показана схема управления пикселем плазменной панели.

Схема управления одним пикселем в плазменной панели на базе IGBT-ключей

Рис. 12. Схема управления одним пикселем в плазменной панели на базе IGBT-ключей

Схема обеспечивает синтез сигналов сложной формы с большим диапазоном напряжений (от -150 до +400 В) и импульсных токов.

 

Заключение

В первую очередь транзисторы Trench IGBT могут использоваться в качестве альтернативной замены аналогичных приборов, ранее разработанных компанией International Rectifier, обеспечивая увеличение эффективности преобразования энергии и снижение цены готового устройства.

Транзисторы Trench IGBT могут с успехом заменять все равноценные по мощности типы транзисторов 4-го и 5-го поколений IGBT, если только значение параметра SCSOA спецификации — 5 uS окажется приемлемым для данных применений. Во всех случаях при замене будет обеспечена лучшая эффективность преобразования, а также большая плотность мощности. Транзисторы 6-го поколения IGBT IR могут использоваться и в качестве недорогой альтернативы аналогичным приборам, выпускаемым другими производителями. Поколение Trench IGBT позволяет сбалансировать потери на переключениях и проводимости и использовать биполярные транзисторы с изолированным затвором в области высоких частот вместо полевых МОП-транзисторов, одновременно обеспечивая высокий КПД. Преимущества IGBT-транзисторов 6-го поколения позволят им потеснить, а по мере совершенствования технологии IGBT и вовсе заменить полевые МОП-транзисторы в импульсных источниках питания.

Литература
  1. Транзисторы Trench IGBT шестого поколения. Башкиров В. // Новости электроники. 2007. № 7.
  2. Силовые IGBT-модули Infineon Technologies. Анатолий Б. // Силовая электроника. 2008. № 2.
  3. IGBT или MOSFET? Проблема выбора. Евгений Д. // Электронные компоненты. 2000. № 1.
  4. Выбор ключевых транзисторов для преобразователей с жестким переключением. Александр П. // Современная электроника. 2004. № 4.
  5. Транзисторы IGBT. Новинки от компании International Rectifier. Волошанская Е. // Электроника: НТБ. 2005. № 5.
  6. AC TIG Welding: Output Inverter Design Basics. Roccaro A., Filippo R., Salato M. Application Notes AN-1045
  7. IGBT Characteristics. Application Note AN-983.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *