Полевые GaN-транзисторы для преобразователей питания: внутренняя структура и моделирование в LTspice
В системах преобразования энергии современные полевые GaN-транзисторы с латеральной структурой становятся все более популярными. В статье описаны свойства нитрида галлия, латеральная структура полевого транзистора на основе этого материала, а также их преимущества для построения силового ключа. Один из важных моментов при проверке схемотехники преобразователей — удобные инструменты расчетов. По... 